低维量子结构的制备及电学性质研究

摘要	第1-6页
Abstract	第6-10页
第1章 引言	第10-13页
·研究背景	第10-11页
·论文内容安排	第11-13页
第2章 实验设备及方法	第13-27页
·分子束外延(MBE)	第13页
·反应离子刻蚀(RIE)	第13-16页
·纳米小球模板刻蚀(NSL)	第16-17页
·扫描探针显微镜(SPM)工作原理	第17-27页
·原子力显微镜(AFM)	第17-19页
·导电原子力显微镜(CAFM)	第19-23页
·静电力显微镜(EFM)	第23-24页
·扫描开尔文显微镜(SKM)	第24页
·扫描电容显微镜(SCM)	第24-27页
第3章 锗硅量子点的电学性质研究	第27-33页
·锗硅量子点的制备及形貌表征	第27-28页
·锗硅单量子点的电学性质	第28-30页
·偏压和接触压力对GeSi量子点电流分布的影响	第30-33页
·偏压对量子点电流分布的影响	第31页
·接触压力对量子点电流分布的影响	第31-33页
第4章 硅量子结构的制备及电学性质研究	第33-50页
·硅量子结构的制备	第33-42页
·硅量子点的制备	第33-34页
·硅量子环的制备	第34-35页
·PS小球模板的形貌表征及其刻蚀速率研究	第35-39页
·CF4刻蚀时间对纵向尺度的影响	第39-42页
·硅量子结构的电学性质	第42-50页
·硅单量子点的电学性质	第42-47页
·硅量子结构与锗硅量子结构的电流分布特征	第47-50页
第5章 石墨烯的制备及电学性质研究	第50-58页
·石墨烯的制备及表征方法	第50-53页
·石墨烯的电学性质与层数的关系	第53-58页
参考文献	第58-59页
硕士期间发表文章情况	第59-60页
致谢	第60-61页