| 中文摘要 | 第4-6页 |
| abstract | 第6-8页 |
| 第一章 序言 | 第11-35页 |
| 1.1 有机阻抗型电存储材料概述 | 第11-12页 |
| 1.2 有机存储材料设计合成概述 | 第12-22页 |
| 1.2.1 以电子效应的角度设计合成的材料 | 第12-20页 |
| 1.2.2 以空间效应的角度设计合成的电存储材料 | 第20-22页 |
| 1.3 多进制电存储进展 | 第22-30页 |
| 1.3.1 基于分子器件的多进制存储 | 第23-25页 |
| 1.3.2 基于有机薄膜器件的多进制存储 | 第25-28页 |
| 1.3.3 其他多进制存储材料 | 第28-30页 |
| 1.4 基于单晶的存储器件的简述 | 第30-32页 |
| 1.5 本文的目的意义和研究内容 | 第32-35页 |
| 1.5.1 本文选题的目的与意义 | 第32页 |
| 1.5.2 本文研究的内容 | 第32-34页 |
| 1.5.3 本文的创新点 | 第34-35页 |
| 第二章D-A共轭有机小分子的合成及其终端电子受体的电子效应对存储类型的影响 | 第35-48页 |
| 2.1 引言 | 第35-36页 |
| 2.2 实验部分 | 第36-39页 |
| 2.2.1 实验原料及试剂 | 第36页 |
| 2.2.2 存储器件的制备 | 第36-37页 |
| 2.2.3 仪器表征和测试 | 第37页 |
| 2.2.4 化合物的合成步骤 | 第37-39页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第39-46页 |
| 2.4 本章总结 | 第46-48页 |
| 第三章 含咪唑基小分子的末端基团平面性改变对薄膜形貌及器件存储性能的影响 | 第48-58页 |
| 3.1 引言 | 第48-49页 |
| 3.2 实验部分 | 第49-50页 |
| 3.2.1 原料及试剂 | 第49页 |
| 3.2.2 合成步骤 | 第49-50页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第50-57页 |
| 3.4 本章小结 | 第57-58页 |
| 第四章 咔唑为给电子基团的双陷阱小分子合成及其膜厚因素对多进制性能的影响 | 第58-66页 |
| 4.1 引言 | 第58-59页 |
| 4.2 实验部分 | 第59-60页 |
| 4.2.1 原料及试剂 | 第59页 |
| 4.2.2 合成步骤 | 第59-60页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第60-65页 |
| 4.4 本章小结 | 第65-66页 |
| 第五章 氧化还原和电荷转移双机理调控多进制存储材料性能的研究 | 第66-75页 |
| 5.1 前言 | 第66-67页 |
| 5.2 实验部分 | 第67-70页 |
| 5.2.1 原料及试剂 | 第67页 |
| 5.2.2 合成步骤 | 第67-70页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第70-74页 |
| 5.4 本章小结 | 第74-75页 |
| 第六章 全文总结 | 第75-77页 |
| 6.1 本文总结 | 第75-76页 |
| 6.2 本文存在的问题和展望 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-88页 |
| 攻读博士学位期间论文发表、录用及整理情况 | 第88-89页 |
| 致谢 | 第89-90页 |
