红荧烯单晶场效应晶体管间互扰的研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| 英文摘要 | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-20页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 有机场效应晶体管简介 | 第9-12页 |
| 1.2.1 工作原理 | 第9-10页 |
| 1.2.2 场效应晶体管特性曲线和基本参数 | 第10-12页 |
| 1.3 有机场效应晶体管构筑方法 | 第12-15页 |
| 1.3.1 有机薄膜场效应晶体管的构筑 | 第13页 |
| 1.3.2 有机单晶场效应晶体管的构筑 | 第13-15页 |
| 1.4 有机场效应器件间互扰的研究现状 | 第15-19页 |
| 1.5 本论文的选题依据 | 第19-20页 |
| 第二章 红荧烯场效应器件制备及互扰现象的探究 | 第20-30页 |
| 2.1 引言 | 第20页 |
| 2.2 红荧烯场效应器件制备 | 第20-25页 |
| 2.2.1 红荧烯单晶的生长及表征 | 第20-24页 |
| 2.2.2 红荧烯场效应器件的制备及性能表征 | 第24-25页 |
| 2.3 相邻器件间互扰现象的探究 | 第25-29页 |
| 2.3.1 相邻器件互扰现象的探究 | 第25-27页 |
| 2.3.2 互扰对迁移率的影响 | 第27-29页 |
| 2.4 本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 互扰影响因素的探究 | 第30-42页 |
| 3.1 引言 | 第30页 |
| 3.2 互扰现象的探究方法 | 第30-35页 |
| 3.2.1 边缘电场探究法 | 第30-32页 |
| 3.2.2 探针划破半导体法 | 第32-35页 |
| 3.3 互扰的影响因素 | 第35-41页 |
| 3.3.1 沟道长度对互扰的影响 | 第35-37页 |
| 3.3.2 栅极电压对互扰的影响 | 第37-40页 |
| 3.3.3 栅极宽度对互扰的影响 | 第40-41页 |
| 3.4 本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 互扰的降低 | 第42-44页 |
| 4.1 引言 | 第42页 |
| 4.2 互扰的降低 | 第42-43页 |
| 4.3 本章小结 | 第43-44页 |
| 第五章 结论 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-51页 |
| 致谢 | 第51-52页 |
| 在学期间公开发表论文及参加会议情况 | 第52页 |
