| 摘要 | 第4-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第11-21页 |
| 1.1 引言 | 第11页 |
| 1.2 光催化技术 | 第11-14页 |
| 1.2.1 光催化机理 | 第11-12页 |
| 1.2.2 光催化技术的研究 | 第12-14页 |
| 1.3 Cu_2O的基本性质及在光催化领域的应用 | 第14-15页 |
| 1.3.1 Cu_2O的基本性质 | 第14页 |
| 1.3.2 Cu_2O在光催化领域的应用 | 第14-15页 |
| 1.4 g-C_3N_4的概述 | 第15-18页 |
| 1.4.1 g-C_3N_4的结构 | 第16页 |
| 1.4.2 g-C_3N_4的制备 | 第16-17页 |
| 1.4.3 g-C_3N_4在光催化方面的应用 | 第17-18页 |
| 1.4.4 影响g-C_3N_4光催化活性的因素及改性 | 第18页 |
| 1.5 半导体异质结可见光催化剂 | 第18-19页 |
| 1.5.1 半导体异质结可见光催化剂的基本原理 | 第18-19页 |
| 1.5.2 异质结构半导体的选择 | 第19页 |
| 1.6 本课题的意义、主要内容及研究路线 | 第19-21页 |
| 2 实验材料及表征 | 第21-24页 |
| 2.1 实验试剂及仪器设备 | 第21-22页 |
| 2.2 分析及表征方法 | 第22-24页 |
| 2.2.1 分析方法 | 第22页 |
| 2.2.2 表征方法 | 第22-24页 |
| 3 g-C_3N_4-Cu_2O异质结的制备及其光催化性能的研究 | 第24-39页 |
| 3.1 引言 | 第24-25页 |
| 3.2 催化剂的制备 | 第25页 |
| 3.2.1 g-C_3N_4的制备 | 第25页 |
| 3.2.2 g-C_3N_4-Cu_2O复合光催化剂的制备 | 第25页 |
| 3.3 催化剂的表征 | 第25-32页 |
| 3.3.1 X射线衍射图谱分析(XRD) | 第25-26页 |
| 3.3.2 X射线光电子能谱(XPS) | 第26-27页 |
| 3.3.3 傅里叶红外光谱分析(FTIR) | 第27-28页 |
| 3.3.4 扫描电子显微镜(SEM) | 第28页 |
| 3.3.5 透射电子显微镜分析(TEM) | 第28-29页 |
| 3.3.6 固体紫外可见漫反射光谱分析(UV-Vis) | 第29-30页 |
| 3.3.7 荧光光谱分析(PL) | 第30-31页 |
| 3.3.8 N_2吸脱附实验分析(BET) | 第31-32页 |
| 3.4 g-C_3N_4-Cu_2O光催化降解染料性能的研究 | 第32-33页 |
| 3.5 反应条件对MO降解的影响 | 第33-36页 |
| 3.5.1 不同掺杂量g-C_3N_4-Cu_2O影响 | 第33-34页 |
| 3.5.2 污染物浓度影响 | 第34-35页 |
| 3.5.3 催化剂浓度影响 | 第35-36页 |
| 3.6 g-C_3N_4-Cu_2O稳定性的研究 | 第36-37页 |
| 3.7 g-C_3N_4-Cu_2O光催化剂降解MO机理的研究 | 第37-38页 |
| 3.8 本章小结 | 第38-39页 |
| 4 酸处理改性g-C_3N_4-Cu_2O的制备及其光催化性能的研究 | 第39-56页 |
| 4.1 引言 | 第39页 |
| 4.2 材料的制备 | 第39-40页 |
| 4.2.1 g-C_3N_4的制备 | 第39-40页 |
| 4.2.2 g-C_3N_4-Cu_2O的制备 | 第40页 |
| 4.3 催化剂的表征 | 第40-47页 |
| 4.3.1 X射线衍射图谱分析(XRD) | 第40-41页 |
| 4.3.2 X射线电子能谱分析(XPS) | 第41-43页 |
| 4.3.3 傅里叶红外光谱分析(FT-IR) | 第43页 |
| 4.3.4 扫描电子显微镜分析(SEM) | 第43-44页 |
| 4.3.5 透射电子显微镜分析(TEM) | 第44-45页 |
| 4.3.6 紫外-可见漫反射光谱分析(Uv-Vis) | 第45-46页 |
| 4.3.7 荧光光谱分析(PL) | 第46页 |
| 4.3.8 N2的吸附/脱附实验(BET) | 第46-47页 |
| 4.4 光催化性能研究 | 第47-55页 |
| 4.4.1 不同因素对降解甲基橙的影响 | 第50-55页 |
| 4.5 本章小结 | 第55-56页 |
| 5 PEG改性g-C_3N_4-Cu_2O异质结的制备及其光催化性能的研究 | 第56-73页 |
| 5.1 引言 | 第56-57页 |
| 5.2 材料的制备 | 第57页 |
| 5.2.1 g-C_3N_4的制备 | 第57页 |
| 5.2.3 g-C_3N_4-Cu_2O复合光催化剂的制备 | 第57页 |
| 5.3 催化剂的表征 | 第57-64页 |
| 5.3.1 X射线衍射图谱分析(XRD) | 第57-58页 |
| 5.3.2 X射线电子能谱分析(XPS) | 第58-60页 |
| 5.3.3 傅里叶红外光谱分析(FT-IR) | 第60页 |
| 5.3.4 扫描电子显微镜分析(SEM) | 第60-61页 |
| 5.3.5 透射电子显微镜分析(TEM) | 第61-62页 |
| 5.3.6 紫外-可见漫反射光谱分析(Uv-Vis) | 第62-63页 |
| 5.3.7 荧光光谱分析(PL) | 第63-64页 |
| 5.3.8 N2的吸脱附实验(BET) | 第64页 |
| 5.4 光催化性能研究 | 第64-72页 |
| 5.4.1 不同条件对降解甲基橙的影响 | 第66-72页 |
| 5.5 本章小结 | 第72-73页 |
| 6 结论 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-80页 |
| 附录 | 第80-81页 |
| 致谢 | 第81页 |
