| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-21页 |
| ·本课题的研究目的 | 第9-11页 |
| ·本课题的研究背景 | 第11-13页 |
| ·单晶连铸技术的发展 | 第11-13页 |
| ·超细线材的制备研究 | 第13页 |
| ·单晶体的制备方法 | 第13-15页 |
| ·旋转提拉法 | 第14-15页 |
| ·布里奇曼法 | 第15页 |
| ·电子背散射衍射分析技术(EBSD/EBSP)简介 | 第15-19页 |
| ·本工作的研究目的及意义 | 第19页 |
| ·本论文研究内容以及章节安排 | 第19-21页 |
| ·研究内容 | 第19-20页 |
| ·章节安排 | 第20-21页 |
| 2 实验过程 | 第21-37页 |
| ·布里奇曼坩埚的设计加工 | 第21-23页 |
| ·不同初始取向单晶铜籽晶的制备 | 第23-29页 |
| ·较大直径单晶体的制备极其验证 | 第23-25页 |
| ·籽晶取向的精确调整 | 第25-29页 |
| ·冷拔加工 | 第29-32页 |
| ·金相试样制备 | 第32-34页 |
| ·透射电镜试样制备 | 第34-35页 |
| ·变形单晶铜线材EBSD试样的制备 | 第35-36页 |
| ·不同取向单晶铜试样的维氏显微硬度测定 | 第36-37页 |
| 3 制备不同初始取向单晶铜的影响因素及分析 | 第37-44页 |
| ·实验结果 | 第37-42页 |
| ·单晶体生长通道参数对单晶体质量的影响 | 第37-38页 |
| ·坩埚材料对确定初始取向单晶体质量的影响 | 第38-39页 |
| ·抽拉速度对确定初始取向单晶体质量的影响 | 第39-42页 |
| ·实验结果分析与讨论 | 第42-43页 |
| ·单晶体生长通道参数对单晶体质量的影响规律 | 第42页 |
| ·坩埚材料对确定初始取向单晶体质量的影响规律 | 第42页 |
| ·抽拉速度对确定初始取向单晶体质量的影响规律 | 第42-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 4 冷拔后不同真应变量不同初始取向单晶铜线材的TEM研究 | 第44-53页 |
| ·实验结果 | 第44-48页 |
| ·实验结果分析与讨论 | 第48-52页 |
| ·<111>、<110>取向单晶铜真应变与取向的转变 | 第48页 |
| ·位错胞的变形规律 | 第48-50页 |
| ·GNBs和IDBs的变化规律 | 第50-51页 |
| ·冷拔单晶铜线材中的孪晶 | 第51-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 5 冷拔后不同初始取向单晶铜线材的EBSD分析 | 第53-58页 |
| ·实验结果 | 第53-56页 |
| ·<110>初始取向单晶体冷拔变形组织 | 第53-55页 |
| ·<111>初始取向单晶体冷拔变形组织 | 第55-56页 |
| ·结果分析与讨论 | 第56-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 6 冷拔后不同初始取向单晶铜线材维氏显微硬度变化分析 | 第58-64页 |
| ·实验结果 | 第58-60页 |
| ·不同初始取向原始材料测试结果 | 第58-59页 |
| ·不同初始取向不同真应变量及多晶材料测试结果 | 第59-60页 |
| ·结果分析与讨论 | 第60-63页 |
| ·不同取向单晶体原始材料测试结果分析 | 第60-61页 |
| ·不同取向不同真应变量单晶体材料测试结果分析 | 第61-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 7 结论 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-70页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71-73页 |
