摘要 | 第5-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
第1章 绪论 | 第12-22页 |
1.1 非线性光学简介 | 第12-19页 |
1.1.1 非线性光学发展历程 | 第12-14页 |
1.1.2 非线性光学原理 | 第14-15页 |
1.1.3 三阶非线性折射效应的基本原理、应用及测量方法 | 第15-19页 |
1.2 研究背景及现状 | 第19-20页 |
1.3 论文研究的目的和意义 | 第20-21页 |
1.4 论文主要内容 | 第21-22页 |
第2章 Z扫描技术理论 | 第22-35页 |
2.1 聚焦的高斯光束 | 第22-23页 |
2.2 经典透射Z扫描理论 | 第23-31页 |
2.2.1 引言 | 第23-26页 |
2.2.2 只考虑非线性折射时的Z扫描理论 | 第26-29页 |
2.2.3 考虑非线性吸收时的Z扫描理论 | 第29-31页 |
2.3 反射Z扫描理论 | 第31-33页 |
2.3.1 引言 | 第31-32页 |
2.3.2 反射Z扫描原理 | 第32-33页 |
2.4 Z扫描技术的发展和应用 | 第33-34页 |
2.5 本章小结 | 第34-35页 |
第3章 拓扑绝缘体薄膜的三阶非线性折射效应研究 | 第35-46页 |
3.1 引言 | 第35-36页 |
3.2 拓扑绝缘体薄膜的制备及表征 | 第36-38页 |
3.2.1 样品制备 | 第36-37页 |
3.2.2 样品表征 | 第37-38页 |
3.3 实验过程 | 第38-45页 |
3.3.1 实验装置及原理 | 第38-41页 |
3.3.2 碲化铋薄膜测量结果及分析 | 第41-43页 |
3.3.3 硒化铋薄膜测量结果及分析 | 第43-45页 |
3.4 本章小结 | 第45-46页 |
第4章 拓扑绝缘体晶体的三阶非线性折射效应研究 | 第46-55页 |
4.1 引言 | 第46-47页 |
4.2 拓扑绝缘体晶体的制备及表征 | 第47-48页 |
4.2.1 样品制备 | 第47页 |
4.2.2 样品表征 | 第47-48页 |
4.3 实验过程 | 第48-54页 |
4.3.1 实验装置及原理 | 第48-51页 |
4.3.2 碲化铋晶体测量结果及分析 | 第51-53页 |
4.3.3 硒化铋晶体测量结果及分析 | 第53-54页 |
4.4 本章小结 | 第54-55页 |
总结 | 第55-57页 |
参考文献 | 第57-63页 |
致谢 | 第63-64页 |
附录 攻读学位期间所发表的学术论文目录 | 第64页 |