| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-15页 |
| 1.1 存储器的发展概况和分类 | 第10-11页 |
| 1.2 OTP存储器设计的背景和意义 | 第11-12页 |
| 1.3 OTP存储器读出系统的性能指标 | 第12-13页 |
| 1.4 论文结构与主要工作 | 第13-15页 |
| 第二章 OTP存储器 | 第15-23页 |
| 2.1 OTP存储器的总体结构 | 第15-16页 |
| 2.2 OTP存储器的存储位元 | 第16-22页 |
| 2.2.1 反熔丝简介 | 第16-20页 |
| 2.2.1.1 反熔丝的定义 | 第16-17页 |
| 2.2.1.2 反熔丝的分类 | 第17-20页 |
| 2.2.2 OTP存储位元的结构设计 | 第20-21页 |
| 2.2.3 OTP存储位元的工作原理 | 第21-22页 |
| 2.3 本章小结 | 第22-23页 |
| 第三章 OTP存储器读出系统的理论研究 | 第23-38页 |
| 3.1 OTP存储器读出系统的组成 | 第23-33页 |
| 3.1.1 ATD（地址检测电路） | 第23-24页 |
| 3.1.2 控制电路 | 第24-29页 |
| 3.1.2.1 脉冲扩展电路 | 第25-28页 |
| 3.1.2.2 控制信号生成电路 | 第28-29页 |
| 3.1.3 灵敏放大器（sense amplifier） | 第29-30页 |
| 3.1.4 DICE锁存器 | 第30-31页 |
| 3.1.5 双向数据端口 | 第31-33页 |
| 3.2 OTP存储器读出系统的工作原理 | 第33-34页 |
| 3.3 OTP存储器读取速度（读出时间）及其影响因素 | 第34-35页 |
| 3.3.1 BL负载对读出时间的影响 | 第34-35页 |
| 3.3.2 反熔丝的类型对读出时间的影响 | 第35页 |
| 3.4 存储单元内寄生电容对读取阈值的影响 | 第35-36页 |
| 3.5 本章小结 | 第36-38页 |
| 第四章 基于MTM反熔丝的OTP存储器读出系统的设计及仿真 | 第38-65页 |
| 4.1 OTP存储器的读出系统 | 第38-49页 |
| 4.1.1 ATD地址检测电路 | 第38-39页 |
| 4.1.2 控制电路 | 第39-43页 |
| 4.1.2.1 脉冲宽度扩展电路 | 第39-42页 |
| 4.1.2.2 控制信号生成电路 | 第42-43页 |
| 4.1.3 灵敏放大器设计 | 第43-47页 |
| 4.1.4 DICE锁存器 | 第47-48页 |
| 4.1.5 双向数据端口 | 第48-49页 |
| 4.2 读出系统性能指标的仿真 | 第49-63页 |
| 4.2.1 读出时间 | 第50-52页 |
| 4.2.2 读取阈值 | 第52-63页 |
| 4.2.2.1 位元中无寄生电容时的读取阈值 | 第52-58页 |
| 4.2.2.2 位元中寄生电容对读取阈值的影响 | 第58-63页 |
| 4.3 后仿真 | 第63-64页 |
| 4.4 本章小结 | 第64-65页 |
| 第五章 芯片的测试方案 | 第65-69页 |
| 5.1 测试平台搭建 | 第65-66页 |
| 5.2 测试方法 | 第66-68页 |
| 5.3 本章小结 | 第68-69页 |
| 第六章 结论 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-74页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第74-75页 |
