| 中文摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第1章 绪论 | 第10-26页 |
| 1.2 二氧化钒的相变特性以及影响因素 | 第12-17页 |
| 1.2.1 二氧化钒的相变特性 | 第12-14页 |
| 1.2.2 二氧化钒相变特性与影响因素 | 第14-17页 |
| 1.3 二氧化钒应用于智能窗的主要问题 | 第17-22页 |
| 1.3.1 二氧化钒的可见透过率 | 第17-18页 |
| 1.3.2 二氧化钒的相变温度 | 第18-19页 |
| 1.3.3 二氧化钒的红外调制能力 | 第19页 |
| 1.3.4 钒的价态 | 第19-21页 |
| 1.3.5 低辐射性能 | 第21-22页 |
| 1.4 二氧化钒的其他应用 | 第22-24页 |
| 1.4.1 VO_2光电开关器件 | 第22页 |
| 1.4.2 非制冷红外探测器 | 第22-23页 |
| 1.4.3 红外脉冲激光防辐射膜 | 第23页 |
| 1.4.4 光存储 | 第23-24页 |
| 1.5 论文研究的意义、内容和方案 | 第24-26页 |
| 1.5.1 论文研究的主要意义 | 第24页 |
| 1.5.2 研究内容 | 第24-25页 |
| 1.5.3 研究方案 | 第25-26页 |
| 第2章 实验部分 | 第26-36页 |
| 2.1 制备二氧化钒薄膜的方法 | 第26-30页 |
| 2.1.1 溶胶-凝胶法 | 第26页 |
| 2.1.2 脉冲激光沉积工艺 | 第26-27页 |
| 2.1.3 化学气象沉积法 | 第27-28页 |
| 2.1.4 溅射镀膜法 | 第28-29页 |
| 2.1.5 不同制备工艺之间的比较 | 第29-30页 |
| 2.2 磁控溅射法制备VO_2薄膜工艺流程 | 第30-32页 |
| 2.2.1 清洗玻璃基片 | 第30-31页 |
| 2.2.2 直流磁控溅射法在基片上制备金属钒膜 | 第31-32页 |
| 2.2.3 退火制备氧化钒薄膜 | 第32页 |
| 2.3 样品结构及性能测试方法 | 第32-35页 |
| 2.3.1 转靶X射线衍射仪(XRD) | 第32-34页 |
| 2.3.2 场发射扫描电子显微镜 | 第34-35页 |
| 2.3.3 变温透过分析 | 第35页 |
| 2.4 本章小结 | 第35-36页 |
| 第3章 直流溅射法制备二氧化钒薄膜的结构、性能研究 | 第36-50页 |
| 3.1 退火对薄膜结构性能影响 | 第36-43页 |
| 3.1.1 退火对薄膜的形貌结构和性能的影响 | 第36-37页 |
| 3.1.2 退火温度对薄膜相变性能和形貌的影响 | 第37-39页 |
| 3.1.3 升温速率对薄膜的相变性能的影响 | 第39-40页 |
| 3.1.4 保温时间对薄膜相变性能的影响 | 第40-41页 |
| 3.1.5 退火真空度对薄膜相变的影响 | 第41-42页 |
| 3.1.6 降温制度对薄膜相变的影响 | 第42-43页 |
| 3.2 不同的薄膜厚度对薄膜相变的影响 | 第43-45页 |
| 3.3 W掺杂对薄膜的相变性能以及微观结构的影响 | 第45-49页 |
| 3.3.1 掺杂对薄膜的透过率的影响 | 第46-47页 |
| 3.3.2 掺杂对于薄膜的热滞回线的影响 | 第47-48页 |
| 3.3.3 掺杂对薄膜的XRD的影响 | 第48-49页 |
| 3.3.4 W掺杂对薄膜的表面形貌的影响 | 第49页 |
| 3.4 本章小结 | 第49-50页 |
| 第4章 氧化钒薄膜的复合研究 | 第50-55页 |
| 4.1 低辐射薄膜与氧化钒薄膜的物理复合 | 第50-51页 |
| 4.2 氧化钒薄膜/低辐射薄膜/衬底的复合性能研究 | 第51-54页 |
| 4.3 低辐射薄膜/氧化钒薄膜/衬底的复合膜系的研究 | 第54-55页 |
| 结论 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 研究生期间发表的成果 | 第61页 |
