| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-26页 |
| 1.1 多金属盐酸盐概述 | 第10-16页 |
| 1.1.1 多金属氧酸盐的发展 | 第10页 |
| 1.1.2 杂多金属氧酸盐（杂多酸）的结构及性质 | 第10-14页 |
| 1.1.3 多金属氧酸盐的应用 | 第14-16页 |
| 1.1.4 多金属氧酸盐的制备 | 第16页 |
| 1.2 石墨烯概述 | 第16-23页 |
| 1.2.1 石墨烯的发展 | 第16-17页 |
| 1.2.2 石墨烯的结构 | 第17-18页 |
| 1.2.3 石墨烯的性质 | 第18页 |
| 1.2.4 石墨烯的应用 | 第18页 |
| 1.2.5 石墨烯的制备 | 第18-21页 |
| 1.2.6 石墨烯的修饰 | 第21-23页 |
| 1.3 多酸基修饰电极概述 | 第23页 |
| 1.4 研究内容与选题意义 | 第23页 |
| 1.5 试剂与仪器设备 | 第23-26页 |
| 1.5.1 试剂 | 第23-24页 |
| 1.5.2 仪器设备 | 第24-26页 |
| 第2章 石墨烯基多酸复合物的合成 | 第26-41页 |
| 2.1 引言 | 第26页 |
| 2.2 P_2Mo_(18)/GS的制备 | 第26-33页 |
| 2.2.1 磷钼酸的制备 | 第26-27页 |
| 2.2.2 石墨烯基多酸复合材料的合成 | 第27-28页 |
| 2.2.3 表征 | 第28-33页 |
| 2.3 对石墨烯基多酸复合材料实验条件的讨论（多酸为P_2Mo_(18)） | 第33-40页 |
| 2.3.1 低温插层过程： | 第33-34页 |
| 2.3.2 中温氧化过程： | 第34页 |
| 2.3.3 平行实验 | 第34页 |
| 2.3.4 表征 | 第34-40页 |
| 2.4 本章小结 | 第40-41页 |
| 第3章 石墨烯基取代型多酸复合材料的制备及表征 | 第41-53页 |
| 3.1 引言 | 第41页 |
| 3.2 取代型多酸的制备 | 第41-42页 |
| 3.2.1 PMo_(11)V的制备 | 第41页 |
| 3.2.2 PMo_(10)V_2的制备 | 第41页 |
| 3.2.3 PMo_(11)Cu的制备 | 第41-42页 |
| 3.2.4 PMo_(11)Zn的制备 | 第42页 |
| 3.3 取代型多酸的表征 | 第42-43页 |
| 3.4 石墨烯基取代型多酸复合材料的制备 | 第43页 |
| 3.5 表征及讨论 | 第43-52页 |
| 3.5.1 红外光谱(FT-IR) | 第43-47页 |
| 3.5.2 X-射线粉末衍射(XRD) | 第47-50页 |
| 3.5.3 拉曼光谱(Raman) | 第50-51页 |
| 3.5.4 热重分析(TG) | 第51-52页 |
| 3.6 本章小结 | 第52-53页 |
| 第4章 石墨烯基多酸复合材料的电化学性能研究 | 第53-64页 |
| 4.1 引言 | 第53页 |
| 4.2 多酸石墨烯复合材料修饰的碳糊电极的制备 | 第53-54页 |
| 4.2.1 碳糊电极的制备： | 第53页 |
| 4.2.2 碳糊电极的活化： | 第53-54页 |
| 4.2.3 多酸石墨烯复合材料修饰的碳糊电极的制备： | 第54页 |
| 4.3 多酸石墨烯复合材料修饰碳糊电极的循环伏安行为测试 | 第54-63页 |
| 4.3.1 P_2Mo_(18)/GS修饰的碳糊电极的循环伏安行为 | 第54-57页 |
| 4.3.2 取代型多酸石墨烯复合材料修饰的碳糊电极的循环伏安行为 | 第57-63页 |
| 4.4 本章小结 | 第63-64页 |
| 第5章 石墨烯基多酸复合材料的氧化脱硫性能研究 | 第64-70页 |
| 5.1 引言 | 第64页 |
| 5.2 复合材料脱硫实验 | 第64页 |
| 5.2.1 反应液制备 | 第64页 |
| 5.2.2 脱硫实验 | 第64页 |
| 5.2.3 复合材料的回收 | 第64页 |
| 5.2.4 复合材料二次脱硫 | 第64页 |
| 5.2.5 硫含量测定 | 第64页 |
| 5.3 脱硫率及脱硫性能评价 | 第64-69页 |
| 5.3.1 P_2Mo_(18)/GS复合材料脱硫率、二次脱硫及脱硫性能评价 | 第64-66页 |
| 5.3.2 石墨烯基取代型多酸复合材料脱硫率及脱硫性能评价 | 第66-69页 |
| 5.4 本章小结 | 第69-70页 |
| 第6章 结论 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-75页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第75-76页 |
| 致谢 | 第76页 |
