| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4-5页 |
| 第1章 绪论 | 第9-32页 |
| 1.1 引言 | 第9-11页 |
| 1.2 半导体光催化制氢 | 第11-13页 |
| 1.3 影响半导体光催化制氢的因素 | 第13-15页 |
| 1.3.1 影响光催化剂活性的内因 | 第13-15页 |
| 1.3.1.1 晶体结构 | 第13-14页 |
| 1.3.1.2 粒径尺寸和比表面积 | 第14页 |
| 1.3.1.3 能带位置 | 第14-15页 |
| 1.3.2 影响光催化剂活性的外因 | 第15页 |
| 1.4 染料敏化光催化制氢 | 第15-18页 |
| 1.4.1 染料敏化光催化制氢原理 | 第16页 |
| 1.4.2 染料分子的选择 | 第16-17页 |
| 1.4.3 染料敏化基质 | 第17-18页 |
| 1.5 新型半导体g-C_3N_4光催化研究进展 | 第18-26页 |
| 1.5.1 g-C_3N_4的研究：结构、性质、合成方法 | 第19-20页 |
| 1.5.2 g-C_3N_4光解水制氢原理 | 第20-21页 |
| 1.5.3 g-C_3N_4的改性 | 第21-26页 |
| 1.5.3.1 掺杂 | 第21-22页 |
| 1.5.3.2 微观调控 | 第22-23页 |
| 1.5.3.3 刻饰法剥离 | 第23页 |
| 1.5.3.4 染料敏化 | 第23-24页 |
| 1.5.3.5 复合 | 第24-26页 |
| 1.6 助催化剂的研究 | 第26-30页 |
| 1.6.1 助催化剂的种类 | 第26-29页 |
| 1.6.1.1 贵金属助催化剂 | 第27-28页 |
| 1.6.1.2 非贵金属助催化剂 | 第28-29页 |
| 1.6.2 助催化剂的合成方法 | 第29-30页 |
| 1.6.2.1 化学沉淀法 | 第29页 |
| 1.6.2.2 光沉积法 | 第29页 |
| 1.6.2.3 溶剂热法 | 第29页 |
| 1.6.2.4 热处理法 | 第29-30页 |
| 1.7 选题依据和意义 | 第30-31页 |
| 1.8 本论文主要创新之处 | 第31-32页 |
| 第2章 Erythrosin B敏化MoS_2-g-C_3N_4可见光制氢的研究 | 第32-46页 |
| 2.1 前言 | 第32-34页 |
| 2.2 实验部分 | 第34-36页 |
| 2.2.1 化学试剂 | 第34页 |
| 2.2.2 主要仪器 | 第34-35页 |
| 2.2.3 光催化剂的制备 | 第35页 |
| 2.2.4 光催化反应 | 第35-36页 |
| 2.2.5 催化剂表征 | 第36页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第36-45页 |
| 2.3.1 MoS_2-g-C_3N_4的性质 | 第36-39页 |
| 2.3.2 EB在MoS_2-g-C_3N_4的光学吸附 | 第39-40页 |
| 2.3.3 EB-MoS_2-g-C_3N_4的光催化活性 | 第40-45页 |
| 2.3.4 机理 | 第45页 |
| 2.4 本章小结 | 第45-46页 |
| 第3章 EosinY敏化Co Sx-g-C_3N_4光催化制氢的研究 | 第46-57页 |
| 3.1 前言 | 第46-47页 |
| 3.2 实验部分 | 第47-49页 |
| 3.2.1 化学试剂 | 第47-48页 |
| 3.2.2 主要仪器 | 第48页 |
| 3.2.3 光催化剂的制备 | 第48页 |
| 3.2.4 光催化反应 | 第48-49页 |
| 3.2.5 催化剂表征 | 第49页 |
| 3.2.6 吸附量的测定 | 第49页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第49-56页 |
| 3.3.1 Co Sx-g-C_3N_4的性质 | 第49-51页 |
| 3.3.2 EY在Co Sx-g-C_3N_4的吸附 | 第51-52页 |
| 3.3.3 EY-Co Sx-g-C_3N_4的光催化活性 | 第52-56页 |
| 3.3.4 机理 | 第56页 |
| 3.4 本章小结 | 第56-57页 |
| 第4章 结论 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-71页 |
