| 中文摘要 | 第3-5页 |
| 英文摘要 | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-23页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第9-12页 |
| 1.2 IGBT模块可靠性评估相关研究 | 第12-21页 |
| 1.2.1 IGBT模块失效机理研究的分析 | 第12-14页 |
| 1.2.2 IGBT模块可靠性研究现状分析 | 第14-20页 |
| 1.2.3 目前关于 IGBT 模块可靠性研究存在的主要问题 | 第20-21页 |
| 1.3 本文研究的主要内容 | 第21-23页 |
| 2 基于栅极电压开通密勒平台结温估计方法的研究 | 第23-37页 |
| 2.1 引言 | 第23页 |
| 2.2 栅极电压开通密勒平台与温度关系分析 | 第23-25页 |
| 2.3 恒流驱动与常规驱动对比分析 | 第25-31页 |
| 2.3.1 开关暂态过程对比 | 第26-27页 |
| 2.3.2 在不同结温下的开通暂态过程对比 | 第27-29页 |
| 2.3.3 电参数结温标定 | 第29-30页 |
| 2.3.4 栅极电流与密勒平台关系分析 | 第30-31页 |
| 2.4 结温估算实验验证 | 第31-34页 |
| 2.5 本章小结 | 第34-37页 |
| 3 基于关断栅-主发射极电压负峰值的结温估计方法研究 | 第37-53页 |
| 3.1 引言 | 第37页 |
| 3.2 关断过程中栅-主发射极电压负峰值受结温影响分析 | 第37-40页 |
| 3.2.1 关断过程分析 | 第37-39页 |
| 3.2.2 栅-主发射极电压负峰值与结温关系分析 | 第39-40页 |
| 3.3 栅-主发射极电压负峰值的其他影响因子分析 | 第40-43页 |
| 3.3.1 集电极电流影响分析 | 第40-41页 |
| 3.3.2 集射极电压影响分析 | 第41-43页 |
| 3.3.3 剪断键合线对栅-主发射极电压负峰值影响的分析 | 第43页 |
| 3.4 实验验证 | 第43-52页 |
| 3.4.1 在不同V_(ce)与I_c下栅-主发射极电压负峰值的实验测量结果 | 第45-46页 |
| 3.4.2 剪断键合线对V_(gE-np)的影响分析 | 第46-49页 |
| 3.4.3 在单相逆变器中的测试结果 | 第49-52页 |
| 3.5 本章小结 | 第52-53页 |
| 4 基于键合线等效电阻的键合线失效研究 | 第53-63页 |
| 4.1 引言 | 第53页 |
| 4.2 IGBT模块等效电阻分析与键合线等效电阻计算 | 第53-56页 |
| 4.3 实验测量验证 | 第56-60页 |
| 4.3.1 实验数据采集与处理 | 第56-58页 |
| 4.3.2 实验结果与分析 | 第58-60页 |
| 4.4 RJ与IGBT模块结温的关系分析 | 第60-61页 |
| 4.5 本章小结 | 第61-63页 |
| 5 基于传输特性曲线的键合线失效研究 | 第63-81页 |
| 5.1 引言 | 第63页 |
| 5.2 传输特性曲线与键合线脱落关系分析 | 第63-66页 |
| 5.3 传输特性曲线测量分析 | 第66-69页 |
| 5.3.1 传输特性曲线测量 | 第66-68页 |
| 5.3.2 夸导K_(lin)的计算 | 第68-69页 |
| 5.4 实验测量和结果分析 | 第69-75页 |
| 5.4.1 实验测量方法 | 第69-71页 |
| 5.4.2 实验结果 | 第71-73页 |
| 5.4.3 消除温度影响方法分析 | 第73-75页 |
| 5.5 不同结温下传输特性曲线的交叉点相关分析 | 第75-78页 |
| 5.6 本章小结 | 第78-81页 |
| 6 结论与展望 | 第81-85页 |
| 6.1 论文工作总结 | 第81-82页 |
| 6.2 未来展望 | 第82-85页 |
| 致谢 | 第85-87页 |
| 参考文献 | 第87-95页 |
| 附录 | 第95-96页 |
| A. 作者在攻读硕士学位期间发表的论文目录 | 第95页 |
| B. 作者在攻读硕士学位期间申请的发明专利 | 第95-96页 |
| C. 作者在攻读硕士学位期间参与的科研项目 | 第96页 |
