| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 侧向光伏效应 | 第10-12页 |
| 1.1.1 侧向光伏概述 | 第10页 |
| 1.1.2 国内外研究现状和发展趋势 | 第10-12页 |
| 1.2 位置灵敏探测器 | 第12-15页 |
| 1.2.1 位置灵敏探测器的评判标准 | 第12-13页 |
| 1.2.2 位置灵敏探测器的应用 | 第13-15页 |
| 1.3 本论文研究内容 | 第15-16页 |
| 第2章 侧向光伏效应的原理 | 第16-25页 |
| 2.1 p-n结的侧向光伏效应 | 第16-19页 |
| 2.1.1 p-n结 | 第16-18页 |
| 2.1.2 p-n结的侧向光伏效应物理机制 | 第18-19页 |
| 2.2 金属半导体结的侧向光伏效应 | 第19-20页 |
| 2.2.1 金属半导体结 | 第19-20页 |
| 2.2.2 金属半导体结的侧向光伏效应物理机制 | 第20页 |
| 2.3 半导体异质结的侧向光伏效应 | 第20-22页 |
| 2.3.1 半导体异质结 | 第20-22页 |
| 2.3.2 半导体异质结的侧向光伏效应物理机制 | 第22页 |
| 2.4 理论分析 | 第22-25页 |
| 第3章a-Si:H/c-Si p-i-n结构的侧向光伏效应 | 第25-34页 |
| 3.1 引言 | 第25页 |
| 3.2 样品制备 | 第25-26页 |
| 3.3 伏安特性曲线以及能带分析 | 第26-28页 |
| 3.4 a-Si:H/c-Si p-i-n结构的侧向光伏效应 | 第28-33页 |
| 3.4.1 激光功率对侧向光伏效应的影响 | 第28-29页 |
| 3.4.2 激光波长对侧向光伏效应的影响 | 第29-32页 |
| 3.4.3 电极距离对侧向光伏效应的影响 | 第32-33页 |
| 3.5 本章小结 | 第33-34页 |
| 第4章 偏压调控a-Si:H/c-Si p-i-n结构的侧向光伏效应 | 第34-39页 |
| 4.1 引言 | 第34页 |
| 4.2 偏压调控a-Si:H/c-Si p-i-n结构的侧向光伏效应 | 第34-38页 |
| 4.2.1 偏压增强的侧向光伏效应 | 第34-35页 |
| 4.2.2 理论解释 | 第35-38页 |
| 4.3 本章小结 | 第38-39页 |
| 第5章 温度调控a-Si:H/c-Si p-i-n结构的侧向光伏效应 | 第39-42页 |
| 5.1 引言 | 第39页 |
| 5.2 温度调控a-Si:H/c-Si p-i-n结构的侧向光伏效应 | 第39-41页 |
| 5.2.1 温度调控的侧向光伏效应 | 第39-40页 |
| 5.2.2 理论解释 | 第40-41页 |
| 5.3 本章小结 | 第41-42页 |
| 结束语 | 第42-43页 |
| 参考文献 | 第43-48页 |
| 致谢 | 第48-49页 |
| 攻读硕士研究生期间发表的学术论文 | 第49页 |
