抗辐照4K×32bit SRAM的研究与设计

摘要	第1-6页
ABSTRACT	第6-12页
第一章 绪论	第12-16页
·选题依据	第12-13页
·研究意义	第13页
·国内外研究现状	第13-14页
·论文的主要工作	第14-15页
·本文的组织结构	第15-16页
第二章 SRAM 的端口定义及整体划分	第16-19页
·SRAM 端口定义	第16-17页
·SRAM 模块结构	第17-19页
第三章 SRAM 电路设计	第19-52页
·SRAM 存储单元的设计	第19-34页
·存储单元工作原理	第19-24页
·位线负载	第24-25页
·CMOS 器件的单粒子效应	第25-28页
·双互锁存储单元抗单粒子SEU 结构	第28-34页
·SRAM 存储阵列及行列译码	第34-45页
·基于字线的设计考虑	第34-35页
·基于位线的设计考虑	第35-36页
·存储阵列规划	第36-45页
·SRAM 外围控制电路设计	第45-52页
·SRAM 读模块	第45-49页
·SRAM 写模块	第49-50页
·仲裁电路模块	第50-52页
第四章 SRAM 仿真验证	第52-71页
·SRAM 的整体功能仿真验证	第52-61页
·NanoSim NCS 混合仿真测试	第52-60页
·利用spectre 搭建测试激励进行测试	第60-61页
·SRAM 的抗辐照功能的验证	第61-69页
·瞬态脉冲注入法	第61-63页
·Hspice 单粒子效应模拟仿真	第63-69页
·SRAM 功耗测试	第69-70页
·测试总结	第70-71页
第五章 总结与展望	第71-73页
致谢	第73-74页
参考文献	第74-77页
攻硕期间取得的研究成果	第77-78页