| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-24页 |
| 1.1 引言 | 第8页 |
| 1.2 石墨烯和类石墨烯材料的研究现状和进展 | 第8-18页 |
| 1.2.1 石墨烯 | 第9-12页 |
| 1.2.2 过渡金属二硫族化合物 | 第12-13页 |
| 1.2.3 拓扑绝缘体 | 第13-18页 |
| 1.3 石墨烯和类石墨烯材料的常见制备方法 | 第18-23页 |
| 1.3.1 机械剥离 | 第18-19页 |
| 1.3.2 气相法 | 第19-21页 |
| 1.3.3 液相剥离法 | 第21-23页 |
| 1.4 本文的选题和主要工作 | 第23-24页 |
| 第2章 二维超薄拓扑绝缘体硒化铋纳米片的制备及表征 | 第24-33页 |
| 2.1 引言 | 第24-25页 |
| 2.2 实验材料与方法 | 第25-26页 |
| 2.2.1 实验材料 | 第25页 |
| 2.2.2 硒化铋纳米片的制备 | 第25-26页 |
| 2.3 硒化铋纳米片的形貌和微观结构 | 第26-32页 |
| 2.4 插Li溶液法剥离获得Bi_2Se_3纳米片的形成机理 | 第32页 |
| 2.5 小结 | 第32-33页 |
| 第3章 溶液剥离法获得的硒化铋纳米片的光响应特性 | 第33-41页 |
| 3.1 引言 | 第33页 |
| 3.2 实验方法 | 第33-34页 |
| 3.3 超薄硒化铋纳米片的光响应性能测试与分析 | 第34-40页 |
| 3.3.1 硒化铋块体与硒化铋纳米片的比表面积分析 | 第34-35页 |
| 3.3.2 硒化铋块体与硒化铋纳米片的光响应性能 | 第35-38页 |
| 3.3.3 退火处理后硒化铋纳米片的光响应性能 | 第38-40页 |
| 3.4 小结 | 第40-41页 |
| 第4章 Ag/Bi_2Se_3复合结构及其光响应特性 | 第41-51页 |
| 4.1 引言 | 第41-42页 |
| 4.2 实验材料与方法 | 第42-44页 |
| 4.2.1 实验材料 | 第42-43页 |
| 4.2.2 Ag/Bi_2Se_3复合结构的制备 | 第43-44页 |
| 4.3 Ag/Bi_2Se_3复合结构的形貌和微观结构 | 第44-46页 |
| 4.4 Ag/Bi_2Se_3复合结构的光响应性能测试与分析 | 第46-50页 |
| 4.4.1 实验方法 | 第46-47页 |
| 4.4.2 Ag/Bi_2Se_3复合结构的光响应性能测试与分析 | 第47-50页 |
| 4.5 小结 | 第50-51页 |
| 第5章 总结与展望 | 第51-53页 |
| 5.1 总结 | 第51-52页 |
| 5.2 展望 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第64页 |
