摘要 | 第4-6页 |
ABSTRACT | 第6-7页 |
目录 | 第9-11页 |
1 绪论 | 第11-36页 |
1.1 引言 | 第11-13页 |
1.2 磁记录系统介绍 | 第13-18页 |
1.3 磁记录面临的问题 | 第18-23页 |
1.4 磁存储未来发展方向 | 第23-33页 |
1.5 选题依据和研究内容 | 第33-36页 |
2 微磁学模拟理论基础 | 第36-49页 |
2.1 微磁学理论基础 | 第36-44页 |
2.2 微磁学计算的数值化方法 | 第44-48页 |
2.3 本章小结 | 第48-49页 |
3 静磁作用对图案化磁介质翻转场分布的影响 | 第49-65页 |
3.1 图案化磁介质翻转场分布及其影响因素 | 第49-53页 |
3.2 位元排布方式对翻转场分布的影响 | 第53-61页 |
3.3 图案化磁介质制造公差对翻转场分布的影响 | 第61-63页 |
3.4 本章小结 | 第63-65页 |
4 写磁头微磁学仿真及 10 Tb/in2瓦记录系统设计 | 第65-83页 |
4.1 写磁头微磁学仿真模型及写磁场计算 | 第65-69页 |
4.2 瓦记录磁头结构对写磁场的影响 | 第69-76页 |
4.3 10 Tb/in2瓦记录系统设计 | 第76-82页 |
4.4 本章小结 | 第82-83页 |
5 瓦记录磁头写角设计及其对系统记录性能的影响 | 第83-103页 |
5.1 瓦记录磁盘系统写性能计算方法 | 第83-87页 |
5.2 磁头写角大小对系统记录性能的影响 | 第87-95页 |
5.3 圆角效应对系统记录性能的影响 | 第95-101页 |
5.4 本章小结 | 第101-103页 |
6 瓦记录磁头斜交角对系统记录性能的影响 | 第103-116页 |
6.1 磁头斜交角 | 第103-106页 |
6.2 斜交角变化范围对系统记录性能的影响 | 第106-110页 |
6.3 双角写入瓦记录技术 | 第110-114页 |
6.4 本章小结 | 第114-116页 |
7 10 Tb/in2瓦记录系统高频响应特性研究 | 第116-127页 |
7.1 图案化磁介质翻转条件 | 第116-120页 |
7.2 瓦记录磁头高频响应特性仿真 | 第120-126页 |
7.3 本章小结 | 第126-127页 |
8 总结与展望 | 第127-131页 |
致谢 | 第131-133页 |
参考文献 | 第133-139页 |
附录 1 攻读博士学位期间发表的主要论文 | 第139-140页 |
附录 2 攻读博士学位期间申请的发明专利 | 第140-141页 |
附录 3 攻读博士学位期间参与的科研项目 | 第141页 |