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基于SiC MOSFET的三相桥式PWM整流器高频化设计及研究

摘要第4-5页
Abstract第5页
注释表第11-13页
第一章 绪论第13-21页
    1.1 课题的研究背景第13-14页
    1.2 SIC MOSFET的发展现状及应用前景第14-17页
        1.2.1 SiC MOSFET特性研究第14-15页
        1.2.2 SiC MOSFET驱动电路的研究现状第15-17页
    1.3 三相整流器控制策略的研究现状第17-19页
    1.4 本课题的研究意义和内容第19-21页
第二章 SiC MOSFET开关特性及驱动电路的设计第21-30页
    2.1 SIC MOSFET驱动电路的设计第21-25页
        2.1.1 SiC MOSFET对驱动电路的要求第21-23页
        2.1.2 栅极有源箝位电路第23-25页
    2.2 双脉冲测试第25-29页
        2.2.1 双脉冲测试电路工作原理第25-26页
        2.2.2 双脉冲测试实验及分析第26-29页
    2.3 本章小结第29-30页
第三章 三相桥式PWM整流器的设计及优化第30-50页
    3.1 三相桥式PWM整流器主电路拓扑及工作原理第30-33页
        3.1.1 三相桥式PWM整流器拓扑第30-31页
        3.1.2 自然坐标系下三相桥式PWM整流器的高频数学模型第31-33页
        3.1.3 自然坐标系下三相桥式PWM整流器的低频数学模型第33页
    3.2 空间矢量脉宽调制算法的优化第33-40页
        3.2.1 SVPWM算法的原理第33-36页
        3.2.2 SVPWM算法的简化第36-39页
        3.2.3 SVPWM简化算法的仿真和实验分析第39-40页
    3.3 三相桥式PWM整流器控制系统的设计第40页
    3.4 电流内环的设计第40-48页
        3.4.1 采用P调节器的电流内环设计第40-45页
        3.4.2 采用PI调节器的电流内环设计第45-48页
    3.5 电压外环的设计第48-49页
    3.6 本章小结第49-50页
第四章 SiC MOSFET桥式PWM整流器损耗分析第50-58页
    4.1 功率管损耗模型第50-54页
        4.1.1 功率管导通损耗模型第50-53页
        4.1.2 功率管开关损耗模型第53-54页
    4.2 滤波电感损耗模型第54页
    4.3 系统损耗分析及效率对比第54-57页
        4.3.1 SiC MOSFET的导通压降第54-55页
        4.3.2 Si IGBT的导通压降第55-56页
        4.3.3 SiC MOSFET与Si IGBT的损耗对比分析第56-57页
    4.4 本章小结第57-58页
第五章 系统设计及实验分析第58-68页
    5.1 系统硬件电路设计第58-63页
        5.1.1 功率器件选取第58-59页
        5.1.2 滤波电感的设计第59-60页
        5.1.3 滤波电容的选取第60-62页
        5.1.4 光纤隔离驱动电路第62-63页
    5.2 系统软件设计第63-64页
    5.3 仿真与实验结果分析第64-67页
        5.3.1 三相桥式PWM整流器仿真分析第64-65页
        5.3.2 三相桥式PWM整流器实验分析第65-67页
    5.4 本章小结第67-68页
第六章 总结与展望第68-69页
    6.1 全文工作总结第68页
    6.2 后期工作展望第68-69页
参考文献第69-72页
致谢第72-73页
硕士期间发表的论文及参与的科研项目第73页

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