| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 一维纳米材料简介 | 第10-12页 |
| 1.3 一维纳米材料的应用 | 第12-14页 |
| 1.4 论文的研究内容及意义 | 第14-16页 |
| 第二章 原位透射电子显微学概述 | 第16-28页 |
| 2.1 引言 | 第16页 |
| 2.2 透射电子显微学简介 | 第16-21页 |
| 2.2.1 透射电子显微镜简介 | 第16-18页 |
| 2.2.2 透射电子显微镜表征方法 | 第18-21页 |
| 2.3 原位透射电子显微学 | 第21-26页 |
| 2.3.1 原位透射电子显微学简介 | 第21-22页 |
| 2.3.2 基于原位透射电子显微学的外场加载方式及应用 | 第22-26页 |
| 2.4 本章小结 | 第26-28页 |
| 第三章 Zn_2GeO_4和ZnSe纳米线的结构表征 | 第28-34页 |
| 3.1 引言 | 第28页 |
| 3.2 单晶ZGO纳米线的结构表征 | 第28-29页 |
| 3.3 双晶ZGO纳米线的结构表征 | 第29-31页 |
| 3.4 ZnSe纳米线的结构表征 | 第31-32页 |
| 3.5 本章小结 | 第32-34页 |
| 第四章 Zn_2GeO_4和ZnSe纳米线的原位电学性能测试 | 第34-46页 |
| 4.1 引言 | 第34页 |
| 4.2 金属与半导体接触理论 | 第34-39页 |
| 4.2.1 肖特基势垒的形成 | 第34-37页 |
| 4.2.2 金属-半导体-金属结构 | 第37-39页 |
| 4.3 原位电学实验样品准备 | 第39-40页 |
| 4.4 单根纳米线的原位电学性能测试 | 第40-44页 |
| 4.4.1 单晶ZGO纳米线的原位Ⅰ-Ⅴ特性 | 第40-42页 |
| 4.4.2 双晶ZGO纳米线的原位Ⅰ-Ⅴ特性 | 第42-43页 |
| 4.4.3 ZnSe纳米线的Ⅰ-Ⅴ特性 | 第43-44页 |
| 4.5 本章小结 | 第44-46页 |
| 第五章 焦耳热及电子束辐照对纳米线原位电学性能的影响 | 第46-54页 |
| 5.1 引言 | 第46页 |
| 5.2 焦耳热 | 第46-48页 |
| 5.2.1 焦耳热导致纳米线失效 | 第46-47页 |
| 5.2.2 焦耳热对纳米线电学性能的影响 | 第47-48页 |
| 5.3 电子束 | 第48-52页 |
| 5.3.1 电子束辐照对纳米线结构的影响 | 第48-49页 |
| 5.3.2 电子束辐照对纳米线电学性能的影响 | 第49-52页 |
| 5.4 本章小结 | 第52-54页 |
| 第六章 总结与展望 | 第54-56页 |
| 6.1 总结 | 第54-55页 |
| 6.2 展望 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
| 作者简介 | 第62页 |
