| 摘要 | 第5-6页 |
| 英文摘要 | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-23页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 基于经典浮栅结构的Flash非挥发性存储器 | 第10-11页 |
| 1.3 新型非挥发性存储器 | 第11-14页 |
| 1.3.1 铁电随机存储器 | 第11-12页 |
| 1.3.2 磁阻随机存储器 | 第12-13页 |
| 1.3.3 相变随机存储器 | 第13-14页 |
| 1.3.4 阻变随机存储器 | 第14页 |
| 1.4 阻变存储器的操作参数 | 第14-15页 |
| 1.5 阻变存储器存储机制 | 第15-21页 |
| 1.5.1 肖特基界面势垒调制效应 | 第15-16页 |
| 1.5.2 介质层内陷阱电荷阻变机制 | 第16-19页 |
| 1.5.3 导电细丝阻变机制 | 第19-21页 |
| 1.6 研究意义及研究内容 | 第21-23页 |
| 第二章 阻变存储单元的制备以及表征 | 第23-27页 |
| 2.1 阻变存储单元制备工艺 | 第23-25页 |
| 2.1.1 溅射设备 | 第23-24页 |
| 2.1.2 蒸发设备 | 第24-25页 |
| 2.2 阻变存储单元的表征 | 第25-27页 |
| 2.2.1 电学特性测试设备 | 第25-26页 |
| 2.2.2 俄歇电子能谱仪 | 第26页 |
| 2.2.3 原子力显微镜 | 第26-27页 |
| 第三章 基于氧化钛阻变存储单元的阻变机理分析 | 第27-45页 |
| 3.1 Al/TiOx/Cu阻变单元 | 第27-35页 |
| 3.1.1 Al/TiOx/Cu阻变单元的制备与测试方法 | 第28页 |
| 3.1.2 氧化钛薄膜XRD与AES表征 | 第28-29页 |
| 3.1.3 Al/TiOx/Cu阻变结构电学测试结果 | 第29-31页 |
| 3.1.4 Al/TiOx/Cu阻变机制分析 | 第31-35页 |
| 3.1.5 小结 | 第35页 |
| 3.2 Cu/TiOx/Pt阻变单元 | 第35-40页 |
| 3.2.1 Cu/TiOx/Pt阻变单元的制备与测试方法 | 第36页 |
| 3.2.2 Cu/TiOx/Pt两步Set电学特性 | 第36-38页 |
| 3.2.3 Cu/TiOx/Pt阻变机理分析 | 第38-39页 |
| 3.2.4 小结 | 第39-40页 |
| 3.3 Cu/HfOx/TiOx/Pt阻变单元 | 第40-45页 |
| 3.3.1 Cu/HfOx/TiOx/Pt阻变单元的制备与测试方法 | 第40-41页 |
| 3.3.2 Cu/HfOx/TiOx/Pt阻变单元特性 | 第41-43页 |
| 3.3.3 Cu/HfOx/TiOx/Pt阻变模型 | 第43-44页 |
| 3.3.4 小结 | 第44-45页 |
| 第四章 总结与展望 | 第45-47页 |
| 4.1 总结 | 第45页 |
| 4.2 展望 | 第45-47页 |
| 参考文献 | 第47-51页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第51-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
