| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| 1.1 引言 | 第10-13页 |
| 1.2 薄膜电容材料的研究现状 | 第13-14页 |
| 1.3 BST铁电薄膜可调滤波器的研究现状 | 第14页 |
| 1.4 宽带功率放大器的研究现状 | 第14-15页 |
| 1.5 本论文的主要研究内容 | 第15-17页 |
| 第二章 BST薄膜电容制备与测试方法 | 第17-29页 |
| 2.1 BST(Ba_xSr_(1-x)TiO_3)材料的结构与性能 | 第17页 |
| 2.2 BST薄膜电容的制备 | 第17-27页 |
| 2.2.1 基片的选择 | 第18-19页 |
| 2.2.2 BST薄膜电容的结构 | 第19-20页 |
| 2.2.3 射频磁控溅射法沉积BST薄膜 | 第20-21页 |
| 2.2.4 金属电极的制备 | 第21-23页 |
| 2.2.5 BST薄膜和金属电极的图形化 | 第23-27页 |
| 2.3 薄膜性能分析方法 | 第27-29页 |
| 2.3.1 X射线衍射(XRD)测试 | 第27页 |
| 2.3.2 原子力显微镜(AFM)测试 | 第27页 |
| 2.3.3 DekTak台阶仪测试 | 第27页 |
| 2.3.4 电滞回线(P-E)测试 | 第27页 |
| 2.3.5 介电性能测试 | 第27-29页 |
| 第三章 BST电容介质薄膜在可调滤波器中的应用研究 | 第29-49页 |
| 3.1 BST薄膜的晶体结构与表面形貌 | 第29-31页 |
| 3.2 BST薄膜电容的性能测试与分析 | 第31-35页 |
| 3.3 可调滤波器的设计与仿真 | 第35-44页 |
| 3.3.1 微波滤波器的基本理论 | 第35-37页 |
| 3.3.2 梳状线结构可调滤波器的设计原理 | 第37-40页 |
| 3.3.3 BST铁电薄膜可调滤波器的具体结构及仿真分析 | 第40-44页 |
| 3.4 BST铁电薄膜可调滤波器的制作与测试 | 第44-48页 |
| 3.4.1 BST铁电薄膜可调滤波器的制作工艺 | 第44-45页 |
| 3.4.2 器件的性能测试与分析 | 第45-48页 |
| 3.5 本章小结 | 第48-49页 |
| 第四章 SiN_x电容介质薄膜在宽带功放匹配电路中的应用研究 | 第49-74页 |
| 4.1 功率放大器的分类 | 第49-50页 |
| 4.2 功放的主要性能指标 | 第50-55页 |
| 4.2.1 工作频带 | 第50页 |
| 4.2.2 增益及增益平坦度 | 第50-51页 |
| 4.2.3 输出功率 | 第51-52页 |
| 4.2.4 效率 | 第52页 |
| 4.2.5 输入输出驻波比 | 第52-53页 |
| 4.2.6 非线性失真 | 第53-55页 |
| 4.3 功率放大器的设计流程 | 第55-62页 |
| 4.3.1 功率放大器的稳定性分析 | 第57-58页 |
| 4.3.2 功率放大器的偏置电路设计 | 第58-59页 |
| 4.3.3 功率放大器的匹配电路设计 | 第59-62页 |
| 4.4 氮化硅(SiN_x)薄膜MIM电容器的制备 | 第62-73页 |
| 4.4.1 版图结构 | 第62-63页 |
| 4.4.2 SiN_x薄膜MIM电容器的整体工艺流程 | 第63-64页 |
| 4.4.3 PECVD法沉积SiN_x介质薄膜 | 第64-67页 |
| 4.4.4 SiN_x介质薄膜的图形化与干法刻蚀 | 第67-70页 |
| 4.4.5 SiN_x薄膜电容器的性能研究 | 第70-73页 |
| 4.5 本章小结 | 第73-74页 |
| 第五章 结论与展望 | 第74-76页 |
| 5.1 结论 | 第74-75页 |
| 5.2 展望 | 第75-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-83页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第83-84页 |
