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飞秒激光诱导的Si能级调控及近红外增强探测器研究

摘要第5-6页
abstract第6-7页
第一章 绪论第11-27页
    1.1 黑硅材料发展历程第11-12页
    1.2 飞秒激光对晶体硅材料的重掺杂第12-13页
        1.2.1 飞秒激光与晶体硅材料的相互作用第12-13页
        1.2.2 飞秒激光重掺杂过程第13页
    1.3 飞秒激光在不同背景气氛下制备黑硅材料第13-19页
        1.3.1 不同气氛下制备的黑硅材料表面形貌特性第14-16页
        1.3.2 不同气氛下制备的黑硅材料杂质元素浓度特性第16页
        1.3.3 不同气氛下制备的黑硅材料光谱吸收特性第16-19页
    1.4 黑硅光电器件的研究现状第19-25页
        1.4.1 黑硅光电探测器研究第19-23页
        1.4.2 黑硅太阳能电池研究第23-25页
    1.5 本文的主要工作第25-27页
第二章 飞秒激光制备重掺杂黑硅材料第27-46页
    2.1 飞秒激光制备黑硅材料第27-33页
        2.1.1 飞秒激光系统及平台搭建第27-31页
            2.1.1.1 飞秒激光器介绍第27-28页
            2.1.1.2 飞秒激光辅助系统第28-30页
            2.1.1.3 飞秒激光器的开启操作第30-31页
        2.1.2 实验药品及材料第31页
        2.1.3 单晶硅的清洗准备第31-32页
        2.1.4 黑硅材料的制备第32-33页
    2.2 黑硅表面形貌表征第33-36页
        2.2.1 不同激光能量对黑硅表面形貌的影响第34-35页
        2.2.2 混合掺杂气氛对黑硅表面形貌的影响第35-36页
    2.3 黑硅吸收特性分析第36-41页
        2.3.1 积分球光谱仪第36-37页
        2.3.2 混合气氛掺杂对黑硅材料退火前后的影响第37-39页
        2.3.3 硅衬底中热扩散性研究第39-41页
    2.4 霍尔测试第41-45页
        2.4.1 霍尔效应第41-43页
        2.4.2 范德堡法测试样品电阻率和霍尔系数第43-44页
        2.4.3 霍尔测试分析第44-45页
    2.5 本章小结第45-46页
第三章 替位式重掺杂硅的第一性原理仿真第46-60页
    3.1 第一性原理仿真计算第46-50页
        3.1.1 第一性原理介绍第46页
        3.1.2 密度泛函理论(DFT,Density Functional Theory)第46-48页
            3.1.2.1 Hohenberge-Kohn定理第47页
            3.1.2.2 Kohn-Sham方法第47-48页
        3.1.3 能带结构与态密度第48-50页
    3.2 Material studio软件仿真设计第50-54页
        3.2.1 仿真参数设定与仿真计算第50-52页
        3.2.2 仿真缺陷分析第52-54页
    3.3 基于第一性原理的单晶硅掺杂仿真第54-58页
        3.3.1 费米能级的定义第54-55页
        3.3.2 超晶胞Si中掺杂S的能带结构及态密度分析第55-56页
        3.3.3 超晶胞Si中掺杂N的能带结构及态密度分析第56-57页
        3.3.4 超晶胞Si中掺杂F的能带结构及态密度分析第57-58页
    3.4 本章小结第58-60页
第四章 重掺杂近红外增强型硅光电探测器第60-71页
    4.1 基于黑硅的PIN光电二极管第60-63页
        4.1.1 硅基PIN器件工作原理第60-62页
        4.1.2 黑硅PIN光电二极管的制备第62-63页
    4.2 S原子重掺杂对器件近红外响应度的影响第63-65页
    4.3 Silvaco软件对重掺杂PIN器件的验证性仿真第65-69页
        4.3.1 Silvaco软件介绍第65-66页
        4.3.2 器件参数设计第66-67页
        4.3.3 结果分析对比第67-69页
    4.4 本章小结第69-71页
第五章 总结与展望第71-73页
    5.1 总结第71-72页
    5.2 展望第72-73页
致谢第73-74页
参考文献第74-79页
硕士期间取得成果第79-80页

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