| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 前言 | 第9-10页 |
| 第一篇 文献综述 | 第10-26页 |
| 第一章 绪论 | 第10-26页 |
| 1.1 恩诺沙星 | 第10-11页 |
| 1.2 分子印迹技术 | 第11-21页 |
| 1.3 分子印记聚合物压电传感器 | 第21页 |
| 1.4 国内外研究概况 | 第21-23页 |
| 1.5 本研究的目的、意义及技术路线 | 第23-26页 |
| 第二篇 研究内容 | 第26-58页 |
| 第一章 恩诺沙星分子印迹体系的优化 | 第26-36页 |
| 1.1 实验部分 | 第26-28页 |
| 1.2 结果 | 第28-34页 |
| 1.3 讨论 | 第34-35页 |
| 1.4 小结 | 第35-36页 |
| 第二章 恩诺沙星分子印迹体系印迹机理与选择性理论研究 | 第36-44页 |
| 2.1 实验部分 | 第36页 |
| 2.2 结果 | 第36-42页 |
| 2.3 讨论 | 第42-43页 |
| 2.4 小结 | 第43-44页 |
| 第三章 恩诺沙星分子印迹聚合物的制备与表征 | 第44-50页 |
| 3.1 实验部分 | 第44-45页 |
| 3.2 结果 | 第45-49页 |
| 3.3 讨论 | 第49页 |
| 3.4 小结 | 第49-50页 |
| 第四章 恩诺沙星分子印迹压电石英晶体微天平的构建及应用 | 第50-58页 |
| 4.1 实验部分 | 第50-53页 |
| 4.2 结果 | 第53-57页 |
| 4.3 讨论 | 第57页 |
| 4.4 小结 | 第57-58页 |
| 结论 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-69页 |
| 作者简介 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70页 |