| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-24页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 SiC一维纳米材料概述 | 第10-16页 |
| 1.2.1 SiC一维纳米材料及制备方法概述 | 第11-12页 |
| 1.2.2 SiC一维纳米材料的性能及应用研究概述 | 第12-15页 |
| 1.2.2.1 光学性能及应用 | 第12-13页 |
| 1.2.2.2 电学性能及应用 | 第13-14页 |
| 1.2.2.3 机械性能及应用 | 第14页 |
| 1.2.2.4 场发射性能及应用 | 第14-15页 |
| 1.2.3 化学气相沉积法制备SiC纳米线 | 第15-16页 |
| 1.2.3.1 化学气相沉积的定义 | 第15页 |
| 1.2.3.2 化学气相沉积的特点和应用 | 第15-16页 |
| 1.2.3.3 SiC纳米线的生长机制 | 第16页 |
| 1.3 计算机模拟技术在纳米材料中的应用 | 第16-21页 |
| 1.3.1 计算模拟在纳米材料制备中的应用 | 第17-18页 |
| 1.3.2 计算模拟在纳米材料光学性能研究中的应用 | 第18-19页 |
| 1.3.3 计算模拟在纳米材料电学性能研究中的应用 | 第19-20页 |
| 1.3.4 计算模拟在纳米材料机械性能研究中的应用 | 第20页 |
| 1.3.5 计算模拟在纳米材料场发射性能研究中的应用 | 第20-21页 |
| 1.4 论文选题依据与研究内容 | 第21-24页 |
| 1.4.1 选题依据 | 第21-22页 |
| 1.4.2 研究内容 | 第22-24页 |
| 2 计算方法和模拟软件 | 第24-34页 |
| 2.1 第一性原理 | 第24-31页 |
| 2.1.1 第一性原理简介 | 第24-25页 |
| 2.1.2 第一性原理的计算思路 | 第25-27页 |
| 2.1.3 分子轨道理论 | 第27-29页 |
| 2.1.4 密度泛函理论 | 第29-30页 |
| 2.1.4.1 Hohenberg-Kohn定理：多体理论 | 第29页 |
| 2.1.4.2 Kohn-Sham方程：有效单体理论 | 第29-30页 |
| 2.1.5 从头算分子动力学方法 | 第30-31页 |
| 2.2 Materials Studio软件简介 | 第31-33页 |
| 2.2.1 MS Visualizer | 第31页 |
| 2.2.2 MS Amorphous Cell | 第31-32页 |
| 2.2.3 MS CASTEP | 第32页 |
| 2.2.4 MS COMPASS | 第32页 |
| 2.2.5 MS Discover | 第32页 |
| 2.2.6 MS Adsorption Locator | 第32-33页 |
| 2.2.7 MS Dmol3 | 第33页 |
| 2.3 SIESTA软件简介 | 第33-34页 |
| 3 SiC纳米线初期微观生长模式的理论计算与模拟研究 | 第34-55页 |
| 3.1 碳源、硅源以及催化剂模型的构建 | 第34-36页 |
| 3.2 吸附能计算公式 | 第36页 |
| 3.3 计算参数的设定 | 第36-37页 |
| 3.4 活性原子在Ni催化剂上吸附的能量计算和模拟分析 | 第37-52页 |
| 3.5 活性原子在碳原子层上吸附的能量计算和模拟分析 | 第52-54页 |
| 3.6 本章小结 | 第54-55页 |
| 4 SiC纳米线在Ni(111)晶面上初期微观生长模式的研究 | 第55-60页 |
| 4.1 吸附模型的构建 | 第55-56页 |
| 4.2 计算参数的设定 | 第56页 |
| 4.3 活性原子在Ni(111)表面上吸附的能量计算和模拟分析 | 第56-57页 |
| 4.4 活性原子在已吸附完成的碳原子上吸附的能量计算和模拟分析 | 第57-59页 |
| 4.5 本章小结 | 第59-60页 |
| 5 Ni催化剂尺寸对SiC纳米线初期微观生长模式的影响 | 第60-73页 |
| 5.1 活性原子在不同尺寸镍催化剂原子簇上的吸附模型 | 第60-63页 |
| 5.2 计算参数的设定 | 第63-64页 |
| 5.3 模拟实验过程简述 | 第64页 |
| 5.4 活性原子在Ni催化剂表面和内部吸附的能量计算与模拟分析 | 第64-71页 |
| 5.5 本章小结 | 第71-73页 |
| 6 结论 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-79页 |
| 致谢 | 第79-80页 |
| 攻读硕士期间的主要成绩 | 第80-81页 |
