| 摘要 | 第2-3页 |
| Abstract | 第3-4页 |
| 1 绪论 | 第7-16页 |
| 1.1 课题背景 | 第7-11页 |
| 1.1.1 GGG晶体材料介绍 | 第7-10页 |
| 1.1.2 GGG晶体的应用现状 | 第10-11页 |
| 1.2 GGG晶体的国内外研究现状 | 第11-15页 |
| 1.3 本论文研究内容 | 第15-16页 |
| 2 GGG晶体的机械研磨工艺研究 | 第16-27页 |
| 2.1 GGG晶体研磨实验条件 | 第16-18页 |
| 2.2 GGG晶体的粗研磨实验研究 | 第18-19页 |
| 2.3 GGG晶体的精研磨工艺实验研究 | 第19-26页 |
| 2.3.1 研磨盘种类对平面度及表面质量的影响 | 第20-22页 |
| 2.3.2 研磨盘转速对材料去除率，表面粗糙度和平面度的影响 | 第22-23页 |
| 2.3.3 研磨载荷对材料去除率，表面粗糙度和平面度的影响 | 第23-24页 |
| 2.3.4 精研磨工艺参数的优选 | 第24-26页 |
| 2.4 本章小结 | 第26-27页 |
| 3 GGG晶体的机械抛光工艺研究 | 第27-46页 |
| 3.1 GGG晶体机械抛光实验条件 | 第27-42页 |
| 3.1.1 GGG晶体的机械抛光磨粒种类与粒度的选择 | 第27页 |
| 3.1.2 机械抛光产生表面缺陷的分析与解决 | 第27-37页 |
| 3.1.3 偏心保持环轨迹的仿真与分析 | 第37-42页 |
| 3.2 GGG晶体的机械抛光工艺研究 | 第42-45页 |
| 3.2.1 抛光载荷对平面度及表面粗糙度的影响 | 第42-43页 |
| 3.2.2 抛光速度对平面度及表面质量的影响 | 第43-44页 |
| 3.2.3 机械抛光工艺参数的优选 | 第44-45页 |
| 3.3 本章小结 | 第45-46页 |
| 4 GGG晶体的化学机械抛光研究及组合加工工艺 | 第46-63页 |
| 4.1 化学机械抛光液的优化 | 第47-52页 |
| 4.1.1 硅溶胶比例对GGG晶片表面质量的影响 | 第47-50页 |
| 4.1.2 抛光液pH值对GGG晶片表面质量的影响 | 第50-51页 |
| 4.1.3 抛光时间和抛光垫种类对晶片平面度和表面粗糙度的影响 | 第51-52页 |
| 4.2 IC1000抛光垫的面形测量与修整 | 第52-58页 |
| 4.3 化学机械抛光的工艺实验及结果分析 | 第58-61页 |
| 4.4 本章小结 | 第61-63页 |
| 结论 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-67页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68-70页 |
