| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 1 绪论 | 第8-21页 |
| 1.1 课题的研究背景及意义 | 第8-9页 |
| 1.2 双电层理论 | 第9-14页 |
| 1.2.1 带电机理 | 第10-11页 |
| 1.2.2 双电层理论模型 | 第11-14页 |
| 1.3 液固界面表面电势研究进展 | 第14-19页 |
| 1.3.1 纳流控特点 | 第14页 |
| 1.3.2 表面电荷密度/表面电势测量方法 | 第14-16页 |
| 1.3.3 表面电势调制研究进展 | 第16-19页 |
| 1.4 本文主要内容 | 第19-21页 |
| 2 表面电势调制机理的建模与模拟 | 第21-34页 |
| 2.1 表面电势测量方法 | 第22-25页 |
| 2.2 极化外电压下表面电势调制机理的理论建模 | 第25-28页 |
| 2.3 极化外电压下表面电势大小的仿真结果与分析 | 第28-33页 |
| 2.3.1 氮化硅绝缘层表面电势 | 第29-32页 |
| 2.3.2 单晶硅表面 | 第32-33页 |
| 2.4 本章小结 | 第33-34页 |
| 3 基于AFM胶体探针测量液固界面DLVO力及表面电势 | 第34-46页 |
| 3.1 实验装置 | 第34-40页 |
| 3.1.1 原子力显微镜 | 第34-37页 |
| 3.1.2 AFM胶体探针制备及其弹性系数测量 | 第37-40页 |
| 3.2 样品制备 | 第40-41页 |
| 3.3 硅基表面DLVO力测量及结果分析 | 第41-42页 |
| 3.4 表面电势实验结果与分析 | 第42-45页 |
| 3.5 本章小结 | 第45-46页 |
| 4 表面电势调制研究 | 第46-53页 |
| 4.1 氮化硅表面在极化外电压下表面电势的测量 | 第46-50页 |
| 4.1.1 不同溶液浓度 | 第47-49页 |
| 4.1.2 不同pH | 第49-50页 |
| 4.2 单晶硅表面在极化外电压下表面电势的测量 | 第50-52页 |
| 4.3 本章小结 | 第52-53页 |
| 结论与展望 | 第53-54页 |
| 附录 MATLAB仿真程序 | 第54-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-65页 |