| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-24页 |
| 1.1 存储器的发展趋势 | 第9-12页 |
| 1.2 阻变随机存储器及其发展 | 第12-13页 |
| 1.3 阻变随机存储器的材料体系 | 第13-15页 |
| 1.3.1 钙钛矿氧化物 | 第13-14页 |
| 1.3.2 固体电解质材料 | 第14页 |
| 1.3.3 二元氧化物 | 第14页 |
| 1.3.4 有机材料 | 第14-15页 |
| 1.3.5 纳米材料 | 第15页 |
| 1.4 阻变随机存储器的存储机理 | 第15-22页 |
| 1.4.1 电化学金属化机制 | 第15-17页 |
| 1.4.2 化学价变化机制 | 第17-18页 |
| 1.4.3 热化学机制 | 第18-20页 |
| 1.4.4 电荷陷阱相关的电阻转变模型 | 第20-22页 |
| 1.5 选题及意义 | 第22-24页 |
| 2 氧化硅的制备方法 | 第24-28页 |
| 2.1 氧化硅的制备方法 | 第24-26页 |
| 2.1.1 热氧化法 | 第25页 |
| 2.1.2 正硅酸乙酯热分解法 | 第25-26页 |
| 2.1.3 等离子体增强化学气相沉积法 | 第26页 |
| 2.2 热丝化学气相沉积法沉积氧化硅 | 第26-28页 |
| 2.2.1 热丝化学气相法简介 | 第26页 |
| 2.2.2 热丝化学气相法低温沉积氧化硅 | 第26-28页 |
| 3 HWCVD法制备氧化硅及其表征 | 第28-35页 |
| 3.1 HWCVD法制备氧化硅 | 第28页 |
| 3.2 氧化硅的表征方法 | 第28-31页 |
| 3.2.1 扫描电子显微镜 | 第28-29页 |
| 3.2.2 红外光谱分析仪 | 第29-30页 |
| 3.2.3 膜厚仪 | 第30-31页 |
| 3.3 氧化硅的测试结果 | 第31-34页 |
| 3.3.1 氧化硅的SEM分析 | 第31页 |
| 3.3.2 氧化硅的FTIR分析 | 第31-32页 |
| 3.3.3 衬底温度对氧化硅的影响 | 第32-34页 |
| 3.4 本章小结 | 第34-35页 |
| 4 Ag/SiO_X/p-Si阻变存储器的制备及测试分析 | 第35-42页 |
| 4.1 器件的制备 | 第35-36页 |
| 4.1.1 热丝化学气相法制备介质层 | 第35页 |
| 4.1.2 溅射法制备金属银电极 | 第35-36页 |
| 4.2 阻变存储器的表征方法 | 第36-37页 |
| 4.3 Ag/SiO_X/p-Si器件的I-V特性 | 第37-40页 |
| 4.4 Ag/SiO_X/p-Si器件导电机制分析 | 第40-41页 |
| 4.5 本章小结 | 第41-42页 |
| 结论 | 第42-43页 |
| 参考文献 | 第43-47页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第47-48页 |
| 致谢 | 第48页 |
