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静电场加载同轴结构小轨道相对论电子微波激射器研究

摘要第1-8页
Abstract第8-12页
第1章 绪论第12-27页
   ·研究背景第12-20页
     ·电子回旋脉塞(ECM)原理第14-16页
     ·回旋自谐振脉塞(CARM)原理第16-20页
   ·国内外研究现状第20-24页
     ·同轴电子回旋脉塞器件研究现状第20-22页
     ·静电场在高功率微波源中的应用第22-24页
   ·本文研究思路和研究内容第24-27页
     ·研究思路第24-25页
     ·研究内容第25-27页
第2章 同轴静电场系统场分布及其对相对论性电子运动调制的非线性模拟第27-40页
   ·引言第27-29页
   ·光滑边界同轴结构静电场系统第29-30页
   ·波纹壁边界同轴结构静电场系统第30-31页
     ·静电摇摆器第30-31页
     ·布喇格结构第31页
   ·波纹壁边界同轴结构静电场系统的非线性模拟第31-38页
     ·仿真软件CST工作室介绍第31-33页
     ·理论模型第33-34页
     ·场分布的模拟结果第34-35页
     ·开槽深度对场分布的影响第35-36页
     ·对相对论性电子运动的调制第36-38页
   ·结论第38-40页
第3章 加载静电压的同轴波导放大器基本理论第40-58页
   ·引言第40-41页
   ·物理模型第41-44页
     ·线性理论与非线性理论第41-42页
     ·电磁场在光滑同轴波导中的分布第42-44页
   ·加载静电压的同轴波导放大器非线性模拟的理论基础第44-56页
     ·电子运动方程第45-47页
     ·束波耦合方程第47-53页
     ·数值计算方法第53-54页
     ·归一化及坐标变换第54-55页
     ·束波能量交换及精度监控方法第55-56页
   ·结论第56-58页
第4章 加载静电压的同轴CARM放大器非线性模拟分析第58-71页
   ·计算流程图第58页
   ·不加静电压时的非线性模拟第58-61页
   ·加载静电压后模拟结果分析第61-63页
   ·参数优化第63-69页
     ·外加静电压的优化第63-64页
     ·电子束横向纵向速率比的优化第64-66页
     ·横向速度离散的影响第66-68页
     ·导引中心半径的优化第68-69页
   ·结论第69-71页
第5章 加载静电压的同轴回旋管放大器的非线性模拟第71-83页
   ·加载静电压的同轴回旋管放大器非线性模拟分析第71-75页
     ·参数设置第71-72页
     ·模拟结果分析第72-75页
   ·参数优化第75-81页
     ·外加静电压的优化第75-76页
     ·电子束横向纵向速率比的优化第76-78页
     ·横向速度离散的影响第78-79页
     ·导引中心半径的优化第79-81页
   ·结论第81-83页
结论第83-85页
致谢第85-86页
主要参考文献第86-106页
攻读博士期间发表的论文及科研成果第106-107页

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