| 摘要 | 第6-8页 |
| ABSTRACT | 第8-9页 |
| 第1章 密度泛函理论简介 | 第14-30页 |
| 1.1 绝热近似和Hartree-Fock近似 | 第14-16页 |
| 1.2 密度泛函理论 | 第16-19页 |
| 1.2.1 Thomas-Fermi-Dirac近似 | 第16-17页 |
| 1.2.2 Hohenberg-Kohn理论 | 第17页 |
| 1.2.3 Kohn-Sham方程 | 第17-19页 |
| 1.3 交换相关能量泛函 | 第19-20页 |
| 1.3.1 局域自旋密度近似(LSDA) | 第19页 |
| 1.3.2 广义梯度近似(GGA) | 第19-20页 |
| 1.3.3 杂化泛函 | 第20页 |
| 1.4 一些常见的软件包 | 第20-21页 |
| 1.5 电极化和Berry Phase | 第21-26页 |
| 1.5.1 电极化的Berry Phase理论 | 第21-23页 |
| 1.5.2 与Wanner函数中心的关系 | 第23页 |
| 1.5.3 晶体中电极化的计算 | 第23-26页 |
| 参考文献 | 第26-30页 |
| 第2章 室温铁磁性的单层Fe_2Si | 第30-50页 |
| 2.1 背景介绍 | 第30-31页 |
| 2.2 计算方法 | 第31页 |
| 2.3 计算结果与讨论 | 第31-39页 |
| 2.3.1 体相Fe_2Si | 第31-32页 |
| 2.3.2 单层Fe_2Si结构和稳定性 | 第32-34页 |
| 2.3.3 单层Fe_2Si的电子结构和磁性 | 第34-39页 |
| 2.4 工作总结 | 第39页 |
| 2.5 单层Mn_2Si和Co_2Si | 第39-43页 |
| 参考文献 | 第43-50页 |
| 第3章 单层NbS_2的第一性原理计算 | 第50-64页 |
| 3.1 研究背景 | 第50页 |
| 3.2 计算方法 | 第50-51页 |
| 3.3 计算结果与讨论 | 第51-59页 |
| 3.4 工作总结 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-64页 |
| 第4章 单层CrOCl和CrOBr的第一性原理计算 | 第64-76页 |
| 4.1 背景介绍 | 第64页 |
| 4.2 计算方法 | 第64-65页 |
| 4.3 计算结果与讨论 | 第65-69页 |
| 4.3.1 结构和稳定性 | 第65-67页 |
| 4.3.2 电子结构和磁性 | 第67-69页 |
| 4.4 工作总结 | 第69页 |
| 4.5 单层NiOCl的第一性原理计算 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-76页 |
| 第5章 一维金属有机框架纳米线 | 第76-100页 |
| 5.1 背景介绍 | 第76-77页 |
| 5.2 计算方法 | 第77页 |
| 5.3 TM-BTA (TM=Mn,Fe,Co,V)分子纳米线 | 第77-86页 |
| 5.3.1 结构和稳定性 | 第77-79页 |
| 5.3.2 电子结构和磁性 | 第79-81页 |
| 5.3.3 载流子掺杂 | 第81-83页 |
| 5.3.4 居里温度 | 第83-85页 |
| 5.3.5 工作总结 | 第85-86页 |
| 5.4 一维Sc-,Cr-,Ni-和Cu-BTA分子纳米线 | 第86-89页 |
| 5.4.1 结构和稳定性 | 第86-87页 |
| 5.4.2 电子结构和磁性 | 第87-89页 |
| 5.4.3 工作总结 | 第89页 |
| 5.5 V-THB和Mn-THB分子纳米线 | 第89-95页 |
| 5.5.1 结构和稳定性 | 第89-91页 |
| 5.5.2 电子结构和磁性 | 第91-94页 |
| 5.5.3 工作总结 | 第94-95页 |
| 参考文献 | 第95-100页 |
| 第6章 金属甲酸盐框架[NH_4][M(HCOO)_3]的研究 | 第100-116页 |
| 6.1 背景介绍 | 第100-101页 |
| 6.2 计算方法 | 第101页 |
| 6.3 计算结果与讨论 | 第101-111页 |
| 6.4 工作总结 | 第111-112页 |
| 参考文献 | 第112-116页 |
| 致谢 | 第116-118页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的研究成果 | 第118页 |
