| 摘要 | 第6-11页 |
| Abstract | 第11-15页 |
| 第一章 绪论 | 第20-52页 |
| 1.1 引言 | 第20-23页 |
| 1.2 太阳能电池 | 第23-32页 |
| 1.2.1 光伏太阳能电池原理及参数 | 第23-28页 |
| 1.2.2 光伏太阳能电池分类 | 第28-32页 |
| 1.3 CTS薄膜太阳能电池简介 | 第32-41页 |
| 1.3.1 研究意义 | 第32-34页 |
| 1.3.2 结构性质 | 第34-37页 |
| 1.3.3 国内外研究进展 | 第37-39页 |
| 1.3.4 制备方法 | 第39-41页 |
| 1.4 本论文主要工作 | 第41-44页 |
| 参考文献 | 第44-52页 |
| 第二章 制备方法和表征手段 | 第52-62页 |
| 2.1 薄膜的制备方法 | 第52-53页 |
| 2.2 薄膜的表征手段 | 第53-54页 |
| 2.3 电池的制备方法 | 第54-59页 |
| 2.4 电池的表征手段 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-62页 |
| 第三章 金属合金靶制备CTS薄膜与光致发光光谱分析 | 第62-82页 |
| 3.1 引言 | 第62-63页 |
| 3.2 实验工艺方案设计 | 第63-64页 |
| 3.3 硫化退火升温速率对CTS薄膜性质的影响 | 第64-70页 |
| 3.3.1 硫化退火升温速率对CTS薄膜元素组分的影响 | 第64-65页 |
| 3.3.2 硫化退火升温速率对CTS薄膜物相结构性质的影响 | 第65-67页 |
| 3.3.3 硫化退火升温速率对CTS薄膜表面微观形貌的影响 | 第67-68页 |
| 3.3.4 硫化退火升温速率对CTS薄膜光学性质的影响 | 第68-70页 |
| 3.4 CTS薄膜的光致发光光谱分析 | 第70-75页 |
| 3.4.1 不同激光功率下光致发光光谱的分析 | 第70-72页 |
| 3.4.2 不同温度下光致发光光谱的分析 | 第72-75页 |
| 3.5 本章小结 | 第75-77页 |
| 参考文献 | 第77-82页 |
| 第四章 金属单质靶单步硫化制备CTS薄膜与光电器件 | 第82-116页 |
| 4.1 引言 | 第82-83页 |
| 4.2 实验工艺方案设计 | 第83-85页 |
| 4.3 硫化退火温度对CTS薄膜性质与器件性能的影响 | 第85-99页 |
| 4.3.1 硫化退火温度对CTS薄膜元素组分的影响 | 第85-86页 |
| 4.3.2 硫化退火温度对CTS薄膜物相结构的影响 | 第86-90页 |
| 4.3.3 硫化退火温度对CTS薄膜微观形貌的影响 | 第90-92页 |
| 4.3.4 硫化退火温度对CTS薄膜光学性质的影响 | 第92-93页 |
| 4.3.5 硫化退火温度对CTS薄膜电学性质的影响 | 第93-94页 |
| 4.3.6 硫化退火温度对CTS薄膜光伏器件性能的影响 | 第94-99页 |
| 4.4 硫化退火保温时间对CTS薄膜性质与器件性能的影响 | 第99-110页 |
| 4.4.1 硫化退火保温时间对CTS薄膜元素组分的影响 | 第99-100页 |
| 4.4.2 硫化退火保温时间对CTS薄膜物相结构的影响 | 第100-105页 |
| 4.4.3 硫化退火保温时间对CTS薄膜微观形貌和光学性质的影响 | 第105-107页 |
| 4.4.4 硫化退火保温时间对CTS薄膜光伏器件性能的影响 | 第107-110页 |
| 4.5 本章小结 | 第110-112页 |
| 参考文献 | 第112-116页 |
| 第五章 金属单质靶两步硫化制备CTS薄膜与光电器件 | 第116-145页 |
| 5.1 引言 | 第116-117页 |
| 5.2 实验工艺方案设计 | 第117-119页 |
| 5.3 Cu靶溅射时间对CTS薄膜性质的影响 | 第119-123页 |
| 5.3.1 Cu靶溅射时间对CTS薄膜物相结构的影响 | 第119-121页 |
| 5.3.2 Cu靶溅射时间对CTS薄膜光学性质的影响 | 第121-123页 |
| 5.4 硫化预退火保温时间对CTS薄膜性质的影响 | 第123-130页 |
| 5.4.1 硫化预退火保温时间对CTS薄膜元素组分的影响 | 第124-125页 |
| 5.4.2 硫化预退火保温时间对CTS薄膜物相结构的影响 | 第125-129页 |
| 5.4.3 硫化预退火保温时间对CTS薄膜微观形貌的影响 | 第129-130页 |
| 5.5 两步硫化工艺制备CTS薄膜光伏太阳能电池 | 第130-137页 |
| 5.6 本章小结 | 第137-139页 |
| 参考文献 | 第139-145页 |
| 第六章 基于CTS衍生化合物薄膜性质研究 | 第145-174页 |
| 6.1 引言 | 第145-146页 |
| 6.2 实验工艺方案设计 | 第146-147页 |
| 6.3 不同S与Se比例对薄膜性质的影响 | 第147-155页 |
| 6.3.1 S与Se比例不同对薄膜物相结构的影响 | 第148-151页 |
| 6.3.2 S与Se比例不同对薄膜光学性质的影响 | 第151-154页 |
| 6.3.3 S与Se比例不同对薄膜电学性质的影响 | 第154-155页 |
| 6.4 CTSSe与CZTSSe薄膜性质对比 | 第155-165页 |
| 6.4.1 三元和四元化合物薄膜物相结构对比 | 第156-160页 |
| 6.4.2 三元和四元化合物薄膜光学性质对比 | 第160-163页 |
| 6.4.3 三元和四元硫化物光电器件性能对比 | 第163-165页 |
| 6.5 本章小结 | 第165-167页 |
| 参考文献 | 第167-174页 |
| 第七章 总结与展望 | 第174-180页 |
| 7.1 总结 | 第174-177页 |
| 7.2 展望 | 第177-180页 |
| 附录Ⅰ 攻读博士学位期间科研成果及奖励清单 | 第180-182页 |
| 附录Ⅱ 致谢 | 第182-183页 |
