摘要 | 第5-6页 |
abstract | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第10-15页 |
1.1 课题研究背景和意义 | 第10-11页 |
1.2 声表面波器件的国内外发展现状 | 第11-13页 |
1.3 本论文的研究内容和工作安排 | 第13-15页 |
第二章 压电薄膜的制备和分析方式 | 第15-22页 |
2.1 ScAlN薄膜 | 第15-16页 |
2.2 薄膜分析方式 | 第16-18页 |
2.2.1 结晶质量测试 | 第16-17页 |
2.2.2 薄膜成分和厚度分析 | 第17-18页 |
2.3 压电薄膜的制备 | 第18-21页 |
2.3.1 薄膜的制备方式 | 第18-19页 |
2.3.2 ScAlN薄膜的制备流程 | 第19页 |
2.3.3 Sc掺杂AlN薄膜的靶材处理 | 第19-21页 |
2.4 本章总结 | 第21-22页 |
第三章 多层膜结构及声表面波谐振器的仿真和设计 | 第22-47页 |
3.1 概述 | 第22-23页 |
3.2 多层膜结构的理论计算方法 | 第23-27页 |
3.2.1 ScAlN参数正确性验证 | 第24-25页 |
3.2.2 散射矩阵法计算多层结构 | 第25-27页 |
3.3 ScAlN/FeGa半无限基底的声表面波传播特性 | 第27-40页 |
3.3.1 散射矩阵计算结果 | 第27-30页 |
3.3.2 COMSOL Multiphisics有限元分析验证 | 第30-38页 |
3.3.3 ZnO/FeGa多层结构传播特性 | 第38-40页 |
3.4 声表面波谐振器的叉指结构 | 第40-45页 |
3.5 本章总结 | 第45-47页 |
第四章 声表面波谐振器的压电薄膜的实验条件研究 | 第47-63页 |
4.1 溅射工艺于AlN薄膜的影响 | 第47-52页 |
4.1.1 溅射功率对于AlN薄膜的性能影响 | 第47-49页 |
4.1.2 溅射气压对于AlN薄膜的性能影响 | 第49-50页 |
4.1.3 溅射氮氩比对于AlN薄膜的性能影响 | 第50-52页 |
4.2 溅射工艺对ScAlN薄膜的影响 | 第52-59页 |
4.2.1 溅射功率对于ScAlN薄膜的性能影响 | 第52-53页 |
4.2.2 溅射气压对于ScAlN薄膜的性能影响 | 第53-54页 |
4.2.3 溅射氮氩比对于ScAlN薄膜的性能影响 | 第54-56页 |
4.2.4 溅射DC偏压对于ScAlN薄膜的性能影响 | 第56-59页 |
4.3 Sc含量不同对于ScAlN薄膜的影响 | 第59-62页 |
4.3.1 不同Sc含量对ScAlN薄膜的生长速率的影响 | 第59-60页 |
4.3.2 不同Sc含量对ScAlN薄膜的晶体结构的影响 | 第60-62页 |
4.4 本章小结 | 第62-63页 |
第五章 磁电声表面波谐振器的制备和测试 | 第63-72页 |
5.1 制备流程和工艺 | 第63页 |
5.2 多层结构基片处理 | 第63-67页 |
5.2.1 FeGa抛光处理 | 第63-64页 |
5.2.2 Metglass2605SA1的抛光处理 | 第64-65页 |
5.2.3 FeGa的ΔE效应测试 | 第65-67页 |
5.3 叉指换能器的工艺探索 | 第67-69页 |
5.4 谐振器的测试结果分析 | 第69-70页 |
5.5 本章小结 | 第70-72页 |
第六章 结论和展望 | 第72-74页 |
6.1 结论 | 第72-73页 |
6.2 展望 | 第73-74页 |
致谢 | 第74-75页 |
参考文献 | 第75-79页 |
附录 | 第79-84页 |
硕士期间所取得的研究成果 | 第84-85页 |