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基于压电/磁致伸缩层状复合薄膜的磁电声表面波谐振器的研究

摘要第5-6页
abstract第6-7页
第一章 绪论第10-15页
    1.1 课题研究背景和意义第10-11页
    1.2 声表面波器件的国内外发展现状第11-13页
    1.3 本论文的研究内容和工作安排第13-15页
第二章 压电薄膜的制备和分析方式第15-22页
    2.1 ScAlN薄膜第15-16页
    2.2 薄膜分析方式第16-18页
        2.2.1 结晶质量测试第16-17页
        2.2.2 薄膜成分和厚度分析第17-18页
    2.3 压电薄膜的制备第18-21页
        2.3.1 薄膜的制备方式第18-19页
        2.3.2 ScAlN薄膜的制备流程第19页
        2.3.3 Sc掺杂AlN薄膜的靶材处理第19-21页
    2.4 本章总结第21-22页
第三章 多层膜结构及声表面波谐振器的仿真和设计第22-47页
    3.1 概述第22-23页
    3.2 多层膜结构的理论计算方法第23-27页
        3.2.1 ScAlN参数正确性验证第24-25页
        3.2.2 散射矩阵法计算多层结构第25-27页
    3.3 ScAlN/FeGa半无限基底的声表面波传播特性第27-40页
        3.3.1 散射矩阵计算结果第27-30页
        3.3.2 COMSOL Multiphisics有限元分析验证第30-38页
        3.3.3 ZnO/FeGa多层结构传播特性第38-40页
    3.4 声表面波谐振器的叉指结构第40-45页
    3.5 本章总结第45-47页
第四章 声表面波谐振器的压电薄膜的实验条件研究第47-63页
    4.1 溅射工艺于AlN薄膜的影响第47-52页
        4.1.1 溅射功率对于AlN薄膜的性能影响第47-49页
        4.1.2 溅射气压对于AlN薄膜的性能影响第49-50页
        4.1.3 溅射氮氩比对于AlN薄膜的性能影响第50-52页
    4.2 溅射工艺对ScAlN薄膜的影响第52-59页
        4.2.1 溅射功率对于ScAlN薄膜的性能影响第52-53页
        4.2.2 溅射气压对于ScAlN薄膜的性能影响第53-54页
        4.2.3 溅射氮氩比对于ScAlN薄膜的性能影响第54-56页
        4.2.4 溅射DC偏压对于ScAlN薄膜的性能影响第56-59页
    4.3 Sc含量不同对于ScAlN薄膜的影响第59-62页
        4.3.1 不同Sc含量对ScAlN薄膜的生长速率的影响第59-60页
        4.3.2 不同Sc含量对ScAlN薄膜的晶体结构的影响第60-62页
    4.4 本章小结第62-63页
第五章 磁电声表面波谐振器的制备和测试第63-72页
    5.1 制备流程和工艺第63页
    5.2 多层结构基片处理第63-67页
        5.2.1 FeGa抛光处理第63-64页
        5.2.2 Metglass2605SA1的抛光处理第64-65页
        5.2.3 FeGa的ΔE效应测试第65-67页
    5.3 叉指换能器的工艺探索第67-69页
    5.4 谐振器的测试结果分析第69-70页
    5.5 本章小结第70-72页
第六章 结论和展望第72-74页
    6.1 结论第72-73页
    6.2 展望第73-74页
致谢第74-75页
参考文献第75-79页
附录第79-84页
硕士期间所取得的研究成果第84-85页

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