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化学腐蚀法可控制备SiC量子点成型机制及其性能研究

中文摘要第6-7页
ABSTRACT第7-8页
1 绪论第9-19页
    1.1 课题研究背景与发展现状第9-12页
        1.1.1 课题研究背景第9-10页
        1.1.2 课题研究发展现状第10-12页
    1.2 镉系量子点细胞毒性第12-14页
        1.2.1 镉系量子点制备及其光学特性第12-13页
        1.2.2 镉系量子点细胞毒性第13-14页
    1.3 碳化硅量子点光学特性及细胞毒性第14-17页
        1.3.1 碳化硅量子点光学特性第14-15页
        1.3.2 碳化硅量子点细胞毒性第15-17页
    1.4 课题来源及研究意义第17页
        1.4.1 课题来源第17页
        1.4.2 研究意义第17页
    1.5 本文研究内容与技术路线第17-19页
        1.5.1 研究内容第17-18页
        1.5.2 技术路线第18-19页
2 试验部分第19-22页
    2.1 试验材料及设备第19-20页
    2.2 微观形貌与光学特性表征第20页
    2.3 培养基的制备第20页
    2.4 活体细胞荧光标记与稳定性试验第20-22页
3 SiC-QDs可控制备及其成型机制研究第22-30页
    3.1 腐蚀次数对碳化硅量子点可控制备影响研究第22-23页
    3.2 碳化硅量子点可控制备过程中微观组织形貌演变第23-27页
    3.3 碳化硅量子点成型机制的研究第27-29页
    3.4 本章小结第29-30页
4 碳化硅量子点可控制备及其光学性能的影响规律第30-41页
    4.1 碳化硅量子点的光学特性第30-34页
        4.1.1 多次腐蚀下光致发光特性第30-32页
        4.1.2 量子点尺寸与光谱关联机制第32-34页
        4.1.3 碳化硅量子点制备工艺优化第34页
    4.2 碳化硅量子点的活体细胞荧光标记可调谐性第34-36页
    4.3 碳化硅量子点荧光标记稳定性分析第36-38页
    4.4 碳化硅量子点活体细胞荧光标记机制探究第38-40页
    4.5 本章小结第40-41页
5 碳化硅量子点细胞毒性第41-47页
    5.1 实验材料第41页
    5.2 尖孢镰刀菌的量子点荧光标记第41-42页
    5.3 SiC-QDs对尖孢镰刀菌生理生长状况的影响第42-44页
    5.4 基于SiC-QDs标记技术尖孢镰刀菌致病机制探究第44-46页
    5.5 本章小结第46-47页
6 结论与展望第47-49页
    6.1 结论第47页
    6.2 本文的创新点第47-48页
    6.3 展望第48-49页
参考文献第49-54页
致谢第54-55页
研究生期间发表论文第55页

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