| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-23页 |
| ·研究背景 | 第11-13页 |
| ·非线性光学晶体的分类 | 第13-15页 |
| ·从可见光到近红外波段的频率转换晶体 | 第13-14页 |
| ·紫外波段的频率转换晶体 | 第14页 |
| ·中远红外波段频率转换晶体 | 第14-15页 |
| ·几种红外频率转换晶体 | 第15-17页 |
| ·AgGaS_2和AgGaSe_2晶体 | 第15-16页 |
| ·ZnGe P_2晶体 | 第16页 |
| ·CdGeAs_2晶体 | 第16-17页 |
| ·新型中远红外非线性材料的探索思路 | 第17-19页 |
| ·实验内容和性能表征 | 第19-23页 |
| ·高温固相反应方法 | 第19-20页 |
| ·实验条件 | 第20页 |
| ·粉末X-射线衍射 | 第20页 |
| ·晶体X-射线衍射 | 第20-21页 |
| ·红外光谱 | 第21页 |
| ·紫外-可见-红外漫反射光谱 | 第21页 |
| ·拉曼光谱 | 第21页 |
| ·二阶非线性性能测试 | 第21页 |
| ·光致发光性能测试 | 第21-23页 |
| 第二章 红外非线性光学晶体BaCdSnS_4和Ba_3CdSn_2S_8的合成、晶体结构，光学性能及荧光性能表征 | 第23-47页 |
| ·引言 | 第23页 |
| ·BaCdSnS_4和Ba_3CdSn_2S_8的设计合成 | 第23-25页 |
| ·BaCdSnS_4和Ba_3CdSn_2S_8的设计思路 | 第23-24页 |
| ·Ba CdSnS_4和Ba_3CdSn_2S_8的合成 | 第24-25页 |
| ·BaCdSnS_4和Ba_3CdSn_2S_8的单晶结构分析 | 第25-40页 |
| ·BaCdSnS_4和Ba_3CdSn_2S_8的晶体结构解析 | 第25-26页 |
| ·BaCdSnS_4和Ba_3CdSn_2S_8的晶体结构讨论 | 第26-40页 |
| ·BaCdSnS_4和Ba_3CdSn_2S_8的光学性能研究 | 第40-45页 |
| ·BaCdSnS_4和Ba_3CdSn_2S_8的红外光谱测试 | 第40页 |
| ·BaCdSnS_4和Ba_3CdSn_2S_8的拉曼光谱测试 | 第40-41页 |
| ·BaCdSnS_4和Ba_3CdSn_2S_8的漫反射光谱测试 | 第41-42页 |
| ·BaCdSnS_4和Ba_3CdSn_2S_8的SHG性能测试 | 第42-44页 |
| ·BaCdSnS_4和Ba_3CdSn_2S_8的光致发光性能测试 | 第44-45页 |
| ·小结 | 第45-47页 |
| 第三章 大激光损伤阈值的含镧系元素的硫化物Li A_3MS_7 (A=Sm, Gd; M = Si, Ge)的设计合成与性质研究 | 第47-63页 |
| ·引言 | 第47页 |
| ·Li A_3MS_7 (A=Sm, Gd; M = Si, Ge)的设计合成 | 第47-48页 |
| ·Li A_3MS_7 (A=Sm, Gd; M = Si, Ge)的设计思路 | 第47-48页 |
| ·Li A_3MS_7 (A=Sm, Gd; M = Si, Ge)的单晶合成 | 第48页 |
| ·Li A_3MS_7(A=Sm, Gd; M = Si, Ge)的单晶结构分析 | 第48-57页 |
| ·Li A_3MS_7(A=Sm, Gd; M = Si, Ge)的单晶结构解析 | 第48-54页 |
| ·Li A_3MS_7(A=Sm, Gd; M = Si, Ge)的晶体结构 | 第54-57页 |
| ·Li A_3MS_7(A=Sm, Gd; M = Si, Ge)的XRD测试 | 第57页 |
| ·Li Sm_3Si S_7的光学性能研究 | 第57-62页 |
| ·Li Sm_3Si S_7的红外光谱测试 | 第57-58页 |
| ·Li Sm_3Si S_7的拉曼光谱测试 | 第58-59页 |
| ·Li Sm_3Si S_7的二阶非线性光学性能测试 | 第59-61页 |
| ·对Li A_3MS_7(A=Sm, Gd; M = Si, Ge)的结构畸变的计算 | 第61-62页 |
| ·小结 | 第62-63页 |
| 第四章 A_4Ga Bi S_9 (A=Sm, Gd)：两个具有非中心对称结构的含镧系元素硫化物的设计合成 | 第63-75页 |
| ·引言 | 第63页 |
| ·Sm_4Ga Bi S_9和Gd_4GaBi S_9的设计合成 | 第63-64页 |
| ·Sm_4GaBi S_9和Gd_4GaBi S_9的设计思路 | 第63页 |
| ·Sm_4GaBi S_9和Gd_4GaBi S_9的单晶合成 | 第63-64页 |
| ·Sm_4Ga Bi S_9和Gd_4GaBi S_9的单晶结构分析 | 第64-71页 |
| ·Sm_4GaBi S_9和Gd_4GaBi S_9的单晶结构解析 | 第64-70页 |
| ·Sm_4GaBi S_9和Gd_4GaBi S_9的晶体结构 | 第70-71页 |
| ·Sm_4Ga Bi S_9和Gd_4GaBi S_9的结构畸变与偶极矩的计算 | 第71-73页 |
| ·Sm_4GaBi S_9和Gd_4GaBi S_9的结构畸变的计算 | 第71-72页 |
| ·Sm_4GaBi S_9和Gd_4GaBi S_9的偶极矩计算 | 第72-73页 |
| ·小结 | 第73-75页 |
| 第五章 两个镁硅酸盐氟化物Mg_5(Si O_4)_2F_2和Mg_3Si O_4F_2的合成，结构和性能表征 .695.1 引言 | 第75-83页 |
| ·Mg_5(Si O_4)_2F_2和Mg_3Si O_4F_2的设计合成 | 第75-76页 |
| ·Mg_5(Si O_4)_2F_2和Mg_3Si O_4F_2的设计思路 | 第75页 |
| ·Mg_5(Si O_4)_2F_2和Mg_3Si O_4F_2的单晶合成 | 第75页 |
| ·Mg_5(Si O_4)_2F_2和Mg_3Si O_4F_2的多晶粉末合成 | 第75-76页 |
| ·Mg_5(Si O_4)_2F_2和Mg_3Si O_4F_2的单晶结构分析 | 第76-79页 |
| ·Mg_5(Si O_4)_2F_2和Mg_3Si O_4F_2的单晶结构解析 | 第76-78页 |
| ·Mg_5(Si O_4)_2F_2和Mg_3Si O_4F_2的晶体结构 | 第78-79页 |
| ·Mg_5(Si O_4)_2F_2的光学性能研究 | 第79-81页 |
| ·Mg_5(Si O_4)_2F_2的红外光谱测试 | 第79-80页 |
| ·Mg_5(Si O_4)_2F_2的漫反射光谱测试 | 第80页 |
| ·Mg_5(Si O_4)_2F_2的热性能测试 | 第80-81页 |
| ·小结 | 第81-83页 |
| 第六章 全文总结与展望 | 第83-86页 |
| ·总结 | 第83-84页 |
| ·展望 | 第84-86页 |
| 参考文献 | 第86-92页 |
| 附录 | 第92-93页 |
| 致谢 | 第93-95页 |
