射频空心阴极放电及其在微晶硅薄膜制备中的应用
| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| ·研究背景和意义 | 第11-12页 |
| ·射频空心阴极放电的研究进展 | 第12-17页 |
| ·空心阴极放电 | 第12-13页 |
| ·空心阴极效应 | 第13-14页 |
| ·空心阴极效应的形成条件 | 第14-15页 |
| ·射频空心阴极放电 | 第15-17页 |
| ·微晶硅薄膜太阳能电池的研究进展 | 第17-20页 |
| ·微晶硅薄膜的沉积技术 | 第17-19页 |
| ·射频空心阴极放电薄膜沉积技术 | 第19-20页 |
| ·本论文的研究内容与安排 | 第20-21页 |
| 第二章 射频空心阴极放电特性的实验研究 | 第21-39页 |
| ·实验系统 | 第21-22页 |
| ·射频空心阴极放电一般图像 | 第22-25页 |
| ·放电条件对射频空心阴极放电特性的影响 | 第25-30页 |
| ·电压影响 | 第25-27页 |
| ·气压和电极孔径的影响 | 第27-28页 |
| ·电极孔深影响 | 第28-29页 |
| ·电源频率影响 | 第29-30页 |
| ·射频空心阴极放电的模式转换 | 第30-38页 |
| ·射频空心阴极放电模式转换特性 | 第30-35页 |
| ·放电条件对放电模式转换的影响 | 第35-38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 第三章 射频空心阴极放电特性的模拟研究 | 第39-62页 |
| ·物理模型 | 第39-43页 |
| ·模拟所用的放电单元结构 | 第40页 |
| ·基本方程 | 第40-42页 |
| ·模拟中的放电反应过程 | 第42-43页 |
| ·数值计算方法 | 第43-47页 |
| ·方程的数值求解方法 | 第43-46页 |
| ·边界条件 | 第46-47页 |
| ·模拟计算流程 | 第47页 |
| ·射频空心阴极放电的基本特性 | 第47-60页 |
| ·模型和代码的验证 | 第47-49页 |
| ·射频空心阴极放电的时空演化过程 | 第49-53页 |
| ·稳定放电下的特性分析 | 第53-56页 |
| ·射频驱动下空心阴极效应的维持机制 | 第56-60页 |
| ·本章小结 | 第60-62页 |
| 第四章 工作条件对射频空心阴极放电影响的模拟研究 | 第62-77页 |
| ·电压的影响 | 第62-64页 |
| ·气压和电极孔径的影响 | 第64-68页 |
| ·阴极孔深的影响 | 第68-72页 |
| ·电源频率的影响 | 第72-76页 |
| ·本章小结 | 第76-77页 |
| 第五章 射频空心阴极等离子体源快速制备微晶硅薄膜 | 第77-94页 |
| ·实验方法 | 第77-83页 |
| ·薄膜沉积方法 | 第77-78页 |
| ·薄膜沉积系统 | 第78-80页 |
| ·薄膜制备流程 | 第80-81页 |
| ·薄膜表征方法 | 第81-83页 |
| ·微晶硅薄膜的基本特征及影响因素 | 第83-93页 |
| ·微晶硅薄膜的基本特征 | 第83-85页 |
| ·放电条件对微晶硅薄膜的影响 | 第85-93页 |
| ·本章小结 | 第93-94页 |
| 第六章 总结与展望 | 第94-97页 |
| 参考文献 | 第97-104页 |
| 攻读学位期间发表论文与研究成果清单 | 第104-105页 |
| 致谢 | 第105-106页 |
| 作者简介 | 第106页 |
