首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--微电子学、集成电路(IC)论文--专用集成电路论文

介电击穿电渗流微流控芯片加工方法研究

学位论文数据集第3-4页
摘要第4-6页
ABSTRACT第6-8页
符号说明第15-16页
第一章 绪论第16-28页
    1.1 课题的研究背景及意义第16-17页
    1.2 微流体驱动和控制技术简介第17-21页
        1.2.1 机械式第17-19页
        1.2.2 非机械式第19-21页
    1.3 电渗驱动技术的国内外研究现状第21-24页
        1.3.1 直流电渗驱动技术第21-23页
        1.3.2 交流电渗驱动技术第23-24页
    1.4 微流控芯片加工技术现状第24-25页
    1.5 论文的主要研究内容第25-28页
第二章 电渗流动的数值模拟及仿真研究第28-40页
    2.1 电渗流理论第28-32页
        2.1.1 双电层第28-30页
        2.1.2 电渗流数学模型第30-31页
        2.1.3 电渗流的两种流型第31-32页
    2.2 二维均匀直微通道电渗流仿真模型第32-34页
        2.2.1 COMSOL Multiphysics简介第32页
        2.2.2 模型建立第32页
        2.2.3 参数设置及网格划分第32-34页
    2.3 仿真结果与讨论第34-37页
        2.3.1 二维流道速度场分析第34页
        2.3.2 泰勒弥散效应标记速度场第34-37页
    2.4 本章小结第37-40页
第三章 介电击穿电渗流驱动研究与仿真设计第40-50页
    3.1 介电击穿原理第40-41页
    3.2 介电击穿材料分析及选取第41-43页
        3.2.1 介电材料简介第41-42页
        3.2.2 介电材料选取第42-43页
    3.3 介电击穿二维仿真建模分析研究第43-49页
        3.3.1 模型建立第43-44页
        3.3.2 参数设置及网格划分第44-46页
        3.3.3 仿真结果与讨论第46-49页
    3.4 本章小结第49-50页
第四章 介电击穿电渗流微流控芯片制备第50-68页
    4.1 SU-8胶转印PDMS制作介电击穿电渗流微流控芯片第50-62页
        4.1.1 SU-8胶光刻工艺第50-56页
        4.1.2 光刻掩膜版的制作第56-59页
        4.1.3 PDMS的制备与芯片的键合第59-62页
    4.2 干膜-PDMS转印制作介电击穿电渗流微流控芯片第62-66页
        4.2.1 KOLON干膜简介第62-63页
        4.2.2 影像转移工艺过程第63-66页
    4.3 两种制作方法对比分析第66页
    4.4 本章小结第66-68页
第五章 介电击穿电渗流实验验证第68-76页
    5.1 微流控芯片的进样第68-71页
    5.2 电渗流实验验证及速度测量第71-73页
        5.2.1 电渗流芯片击穿检测第71-72页
        5.2.2 介电击穿电渗流速度测量第72-73页
    5.3 本章小结第73-76页
第六章 结论与未来的研究方向第76-78页
    6.1 结论第76-77页
    6.2 未来的研究方向第77-78页
参考文献第78-82页
致谢第82-84页
研究成果及发表论文第84-86页
作者和导师简介第86-87页
附件第87-88页

论文共88页,点击 下载论文
上一篇:作为政治批评的缝合式批评—齐泽克研究
下一篇:适应性调整:新制度主义视角下的中国体制转型研究