| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-41页 |
| ·引言 | 第13-15页 |
| ·基于自组装法合成一维纳米功能材料的研究进展 | 第15-27页 |
| ·一维纳米功能材料阵列 | 第17-19页 |
| ·气相法 | 第19-24页 |
| ·液相法 | 第24-26页 |
| ·湿化学刻蚀法 | 第26-27页 |
| ·一维纳米材料的性质及应用 | 第27-34页 |
| ·半导体纳米线激光器 | 第27-28页 |
| ·传感器 | 第28-30页 |
| ·光电导和光致开关 | 第30-31页 |
| ·发光二极管 | 第31-32页 |
| ·染料敏化太阳能电池 | 第32-33页 |
| ·压电场效应管 | 第33-34页 |
| ·本论文的研究内容及意义 | 第34-36页 |
| 参考文献 | 第36-41页 |
| 第二章 氧化锌微纳米结构的合成及形貌表征 | 第41-61页 |
| ·引言 | 第41-42页 |
| ·ZnO 纳米材料的基本性质 | 第42-48页 |
| ·ZnO 的晶体结构 | 第42-44页 |
| ·ZnO 的能带结构 | 第44页 |
| ·ZnO 的电学性质 | 第44-45页 |
| ·ZnO 的光学性质 | 第45-46页 |
| ·ZnO 的铁磁性质 | 第46-48页 |
| ·ZnO 薄膜的制备及形貌表征 | 第48-57页 |
| ·实验设备介绍 | 第48-50页 |
| ·ZnO 薄膜的制备 | 第50页 |
| ·水浴法生长ZnO 纳米线阵列 | 第50-52页 |
| ·水热法生长ZnO 纳米线阵列 | 第52-53页 |
| ·反应温度对ZnO 形貌的影响 | 第53-54页 |
| ·HF 对ZnO 形貌的影响 | 第54-57页 |
| ·本章小结 | 第57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 第三章 液滴在固体表面的浸润性质及半浸润模型 | 第61-95页 |
| ·引言 | 第61页 |
| ·接触角的基本理论 | 第61-80页 |
| ·接触角的定义 | 第61-62页 |
| ·表面张力、表面能和Young’s 方程 | 第62-63页 |
| ·接触角的基本理论 | 第63-71页 |
| ·气相对固体表面浸润性的影响 | 第71-74页 |
| ·接触角滞后，滚动角及其影响因素 | 第74-80页 |
| ·接触角滞后理论的研究现状 | 第80-84页 |
| ·半浸润模型 | 第84-91页 |
| ·本章小结 | 第91页 |
| 参考文献 | 第91-95页 |
| 第四章 仿生超疏水自清洁表面的结构设计与控制合成 | 第95-113页 |
| ·引言 | 第95-96页 |
| ·溶胶凝胶法制备SiO_2 疏水性薄膜 | 第96-97页 |
| ·样品制备和实验方法 | 第96页 |
| ·实验结果和讨论 | 第96-97页 |
| ·化学反应法制备超疏水性薄膜 | 第97-107页 |
| ·ZnO 纳米线阵列的超疏水性研究 | 第97-99页 |
| ·ZnO 网状乳突节点阵列的制备及超疏水性研究 | 第99-107页 |
| ·花状ZnO 微纳米复合结构的疏水性研究 | 第107-108页 |
| ·样品制备 | 第107页 |
| ·形貌表征和浸润性研究 | 第107-108页 |
| ·在Si 表面构造金字塔状疏水表面 | 第108-110页 |
| ·样品制备 | 第108-109页 |
| ·形貌表征和浸润性研究 | 第109-110页 |
| ·本章小结 | 第110页 |
| 参考文献 | 第110-113页 |
| 第五章 CdSe 量子点表面配位键的转换及其与 ZnO 纳米线复合技术研究 | 第113-127页 |
| ·引言 | 第113-114页 |
| ·CdSe 量子点的制备及表征 | 第114-118页 |
| ·样品制备 | 第114-115页 |
| ·CdSe 量子点的形貌表征及发光性质的研究 | 第115-118页 |
| ·ZnO 纳米线的制备及光学性质的研究 | 第118-121页 |
| ·低温水热法制备ZnO 纳米线阵列 | 第118页 |
| ·实验结果和讨论 | 第118-121页 |
| ·CdSe 量子点与ZnO 纳米线阵列的结合技术 | 第121-124页 |
| ·ZnO 纳米线阵列的超疏水性研究 | 第121-123页 |
| ·CdSe 量子点链接到ZnO 纳米线表面 | 第123-124页 |
| ·本章小结 | 第124页 |
| 参考文献 | 第124-127页 |
| 第六章 总结和展望 | 第127-130页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文 | 第130-131页 |
| 致谢 | 第131-132页 |