| 摘要 | 第1-10页 |
| ABSTRACT | 第10-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-27页 |
| ·C/SI化物复合材料简介 | 第12-14页 |
| ·Si化物抗氧化层的起源 | 第12-13页 |
| ·C/Si化物复合材料的应用 | 第13-14页 |
| ·国内外研究动态 | 第14-15页 |
| ·C/SI化物复合材料的制备方法 | 第15-18页 |
| ·化学气相沉积法（CVD） | 第15页 |
| ·化学气相渗透法（CVI） | 第15-16页 |
| ·液相浸渍裂解法 | 第16-17页 |
| ·溶胶—凝胶法 | 第17-18页 |
| ·熔体浸渗法 | 第18页 |
| ·C/SI化物复合材料的防氧化 | 第18-25页 |
| ·抗氧化涂层的基本要求 | 第19-20页 |
| ·抗氧化涂层体系的研究现状 | 第20-25页 |
| ·本课题研究目的和主要内容 | 第25-27页 |
| 第二章 试样制备与测试方法 | 第27-33页 |
| ·实验研究路线 | 第27页 |
| ·实验原料 | 第27-29页 |
| ·石墨棒 | 第27-28页 |
| ·制备Si化物涂层的液态前躯体 | 第28页 |
| ·实验主要设备 | 第28-29页 |
| ·RCLD装置与实验过程 | 第29-31页 |
| ·化学液相沉积装置 | 第29-31页 |
| ·C/Si化物复合材料的制备 | 第31页 |
| ·实验分析 | 第31-33页 |
| ·涂层表面和断面形貌分析 | 第31页 |
| ·X射线衍射分析 | 第31-32页 |
| ·试样抗氧化性能测试 | 第32-33页 |
| 第三章 RCLD工艺制备C/Si化物复合材料 | 第33-47页 |
| ·表面处理的影响 | 第33-35页 |
| ·预制体的直径 | 第35-39页 |
| ·电压、电流的影响 | 第39-40页 |
| ·保温时间 | 第40-42页 |
| ·最佳工艺参数 | 第42-43页 |
| ·化学液相沉积法反应机理分析 | 第43-45页 |
| ·液相沉积法的沉积过程 | 第44页 |
| ·化学液相沉积法的沉积机制 | 第44-45页 |
| ·本章小结 | 第45-47页 |
| 第四章 C/Si化物复合材料氧化过程中的主要气相扩散通道 | 第47-53页 |
| ·SI化物涂层的表面分析 | 第47-48页 |
| ·C/SI化物复合材料的气相扩散通道 | 第48-50页 |
| ·氧化性气体在复合材料中的扩散方式 | 第50-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 第五章 C/Si 化物复合材料的氧化机理分析 | 第53-65页 |
| ·石墨的氧化 | 第53页 |
| ·SI化物的氧化 | 第53-55页 |
| ·C/SI化物复合材料的氧化 | 第55-64页 |
| ·石墨材料与C/Si化物复合材料在高温下的质量变化 | 第55-56页 |
| ·C/Si化物复合材料高温下的质量损失率 | 第56-58页 |
| ·C/Si化物复合材料的氧化失重曲线 | 第58-59页 |
| ·C/Si化物复合材料的氧化温度区间 | 第59页 |
| ·C/Si化物复合材料的氧化机理 | 第59-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 第六章 结论与创新点 | 第65-67页 |
| ·结论 | 第65-66页 |
| ·创新点 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 附录 在校期间发表的学术论文 | 第73页 |