摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-10页 |
第1章 绪论 | 第10-20页 |
·研究背景 | 第10-13页 |
·化学机械抛光(CMP)现状 | 第13-18页 |
·CMP 技术原理 | 第13-14页 |
·CMP 发展趋势及前景 | 第14-15页 |
·CMP 材料去除率模型 | 第15-16页 |
·CMP 抛光垫作用机理 | 第16-18页 |
·本课题研究的意义 | 第18-19页 |
·研究目标及内容 | 第19页 |
·研究目标 | 第19页 |
·研究内容 | 第19页 |
·课题来源 | 第19-20页 |
第2章 锡仿生结构抛光垫模型的提出 | 第20-30页 |
·植物叶序的概念 | 第20-22页 |
·植物叶序与斐波那契数 | 第20-21页 |
·植物叶序角的提出 | 第21-22页 |
·植物中的向日葵模型 | 第22-23页 |
·锡仿生结构抛光垫的设计 | 第23-26页 |
·基于 Vogel 方程的葵花籽粒分布 | 第23-24页 |
·叶序角对籽粒块分布的影响 | 第24-25页 |
·叶序参数对籽粒块分布的影响 | 第25-26页 |
·磨料块直径对籽粒分布的影响 | 第26页 |
·锡仿生结构抛光垫三维模型的建立 | 第26-28页 |
·本章小结 | 第28-30页 |
第3章 锡仿生结构抛光垫抛光的接触压力场仿真 | 第30-42页 |
·接触问题的有限元分析方法 | 第30-31页 |
·有限元计算与分析 | 第30页 |
·晶片研磨及抛光一些条件假设 | 第30-31页 |
·基于“WINKLER地基”理论接触力学模型的建立 | 第31-33页 |
·有限元计算结果与分析 | 第33-41页 |
·有限元计算的基本问题与已知条件 | 第33页 |
·有限元实体模型的建立 | 第33-34页 |
·有限元网格划分及边界条件 | 第34页 |
·锡仿生结构抛光垫与晶片接触压力场计算与分析 | 第34-41页 |
·本章小结 | 第41-42页 |
第4章 锡仿生结构抛光垫制备与特性研究 | 第42-55页 |
·锡仿生结构抛光垫材料的选用 | 第42-43页 |
·锡膏的选用及使用 | 第42-43页 |
·抛光垫基层材料的选用 | 第43页 |
·锡仿生结构抛光垫的模具及印刷工艺 | 第43-48页 |
·网版的选择 | 第44-45页 |
·刮板的选择 | 第45-47页 |
·印刷工作平台 | 第47页 |
·锡仿生结构抛光垫的印刷工艺 | 第47-48页 |
·锡仿生结构抛光垫的焊接固化 | 第48-52页 |
·SMT 焊接参考标准 | 第48-51页 |
·SMT 回流焊的使用 | 第51-52页 |
·锡仿生结构抛光垫的特征 | 第52-54页 |
·本章小结 | 第54-55页 |
第5章 锡仿生结构抛光垫抛光实验研究 | 第55-68页 |
·实验装置与实验材料 | 第55-56页 |
·实验目标及步骤 | 第56-58页 |
·实验目标 | 第56-57页 |
·实验步骤 | 第57-58页 |
·锡仿生结构抛光垫的修整及晶片粘结、清洗 | 第58-59页 |
·叶序参数、磨料块直径及压强对材料去除分布的影响 | 第59-62页 |
·叶序参数对晶片表面平面精度的影响 | 第59-60页 |
·磨料块直径对晶片表面平面精度的影响 | 第60-61页 |
·压强对晶片表面平面精度的影响 | 第61-62页 |
·结果讨论与分析 | 第62页 |
·叶序参数、磨料块直径及压强对材料去除率的影响 | 第62-64页 |
·叶序参数对晶片材料去除率的影响 | 第62-63页 |
·磨料块直径对晶片材料去除率的影响 | 第63-64页 |
·压强对晶片材料去除率的影响 | 第64页 |
·结果讨论与分析 | 第64页 |
·叶序参数、磨料块直径及压强对粗糙度的影响 | 第64-67页 |
·叶序参数对晶片表面粗糙度的影响 | 第65页 |
·磨料块直径对晶片表面粗糙度的影响 | 第65-66页 |
·压强对晶片表面粗糙度的影响 | 第66页 |
·结果讨论与分析 | 第66-67页 |
·本章小结 | 第67-68页 |
第6章 结论与展望 | 第68-70页 |
·结论 | 第68-69页 |
·展望 | 第69-70页 |
参考文献 | 第70-75页 |
在学期间的研究成果及发表的学术论文 | 第75-76页 |
致谢 | 第76-77页 |