摘要 | 第1-3页 |
ABSTRACT | 第3-7页 |
第1章 绪论 | 第7-14页 |
·铁电体概述 | 第7-10页 |
·铁电体基本概念和宏观特征 | 第7-9页 |
·铁电体的分类及应用 | 第9-10页 |
·铁电存储器概述 | 第10页 |
·扫描探针显微镜 | 第10-12页 |
·扫描隧道显微镜 | 第10-11页 |
·扫描探针显微镜的发展历程 | 第11-12页 |
·多模式扫描探针显微镜 | 第12页 |
·SPM 畴工程技术简介 | 第12-13页 |
·内容安排 | 第13-14页 |
第2章 铁电单晶中针状畴的生长和弛豫 | 第14-29页 |
·引言 | 第14页 |
·针状畴的生长 | 第14-23页 |
·针状畴生长的动力学 | 第14-22页 |
·铌酸锂晶体中针状畴的生长 | 第22-23页 |
·针状畴的弛豫 | 第23-26页 |
·畴弛豫概述 | 第23页 |
·针状畴弛豫的动力学 | 第23-24页 |
·针状畴的临界畴半径 | 第24-25页 |
·钛酸钡的畴弛豫 | 第25-26页 |
·计算模拟 | 第26-29页 |
·钛酸钡的畴弛豫过程的模拟 | 第26-27页 |
·铌酸锂的畴弛豫过程的模拟 | 第27-28页 |
·讨论 | 第28-29页 |
第3章 超薄晶体和薄膜中畴的生长 | 第29-36页 |
·引言 | 第29页 |
·超薄 LiNbO_3晶体中的畴生长 | 第29-34页 |
·实验 | 第30-31页 |
·超薄铁电晶体中畴生长动力学 | 第31-34页 |
·外延的 Pb(Zr_(0.2)Ti_(0.8))O_3薄膜中畴的生长 | 第34-36页 |
·实验 | 第34页 |
·畴的生长与所加脉冲之间的关系 | 第34-36页 |
第4章 结论与展望 | 第36-37页 |
参考文献 | 第37-40页 |
附录 A 本文中各个参数在计算时所使用的单位 | 第40-41页 |
附录 B 计算长度随时间变化的程序 | 第41-45页 |
致谢 | 第45-46页 |
攻读硕士学位期间的研究成果 | 第46页 |