| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-12页 |
| 第1章 绪论 | 第12-31页 |
| ·引言 | 第12-13页 |
| ·量子点的研究概况 | 第13-29页 |
| ·量子点纳米材料的发展 | 第13-19页 |
| ·量子点的器件应用 | 第19-24页 |
| ·InAs/GaAs自组装量子点的理论研究进展 | 第24-29页 |
| ·本论文的内容和结构 | 第29-31页 |
| 第2章 InAs/GaAs自组装量子点 | 第31-41页 |
| ·引言 | 第31-32页 |
| ·分子束外延法——形成基础 | 第32-38页 |
| ·分子束外延法的基本概念 | 第32-34页 |
| ·Stranski-Krastanow生长模式 | 第34-38页 |
| ·InAs/GaAs自组装量子点的特性 | 第38-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第3章 InAs/GaAs自组装量子点的应变分布 | 第41-54页 |
| ·引言 | 第41-42页 |
| ·胡克定律法计算量子点应变分布 | 第42-53页 |
| ·立方形量子点 | 第43-44页 |
| ·圆柱形量子点 | 第44-45页 |
| ·球形量子点 | 第45-48页 |
| ·金字塔形量子点 | 第48-50页 |
| ·结果与讨论 | 第50-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 第4章 InAs/GaAs自组装量子点的电子能带结构的理论计算 | 第54-89页 |
| ·引言 | 第54页 |
| ·几种常见形状量子点的能带计算 | 第54-72页 |
| ·圆柱形量子点的能带计算 | 第55-57页 |
| ·抛物线型量子点的能带计算 | 第57-59页 |
| ·透镜形量子点的能带计算 | 第59-61页 |
| ·共焦透镜形量子点的能带计算 | 第61-67页 |
| ·椭圆柱形量子点的能带计算 | 第67-72页 |
| ·半导体能带k·p 微扰法 | 第72-82页 |
| ·应变对量子点电子结构的影响 | 第82-88页 |
| ·本章小结 | 第88-89页 |
| 第5 章 InAs/GaAs自组装量子点的Stark效应 | 第89-102页 |
| ·引言 | 第89-91页 |
| ·量子点的Stark效应的计算 | 第91-101页 |
| ·理论模型 | 第92-95页 |
| ·结果与讨论 | 第95-101页 |
| ·本章小结 | 第101-102页 |
| 结论 | 第102-104页 |
| 参考文献 | 第104-114页 |
| 附录 | 第114-120页 |
| 附录1 金字塔形量子点的一般应力分布表达式 | 第114-115页 |
| 附录2 量子点Stark效应的积分表达式 | 第115-120页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第120-122页 |
| 致谢 | 第122页 |