磁控溅射法所沉积SiN_x非晶薄膜的结构分析及发光特性研究
| 致谢 | 第1-6页 |
| 中文摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7-10页 |
| 引言 | 第10-11页 |
| 第一章 氮化硅材料 | 第11-20页 |
| ·硅基纳米材料的研究进展 | 第11-14页 |
| ·硅基纳米材料 | 第11-13页 |
| ·Nc-Si/SiO_2超晶格 | 第13-14页 |
| ·氮化硅性能 | 第14-16页 |
| ·氮化硅结构 | 第14-15页 |
| ·氮化硅的物理和机械性能 | 第15页 |
| ·氮化硅的光学性能 | 第15-16页 |
| ·氮化硅发光研究 | 第16-19页 |
| ·a-SiN_x:H薄膜的光致发光 | 第16-17页 |
| ·a-SiN_x薄膜中Nc-Si的光致发光 | 第17-18页 |
| ·a-SiN_x:H薄膜中Nc-Si的电致发光 | 第18-19页 |
| ·本文的思路及主要研究内容 | 第19-20页 |
| 第二章 薄膜样品的制备与表征 | 第20-24页 |
| ·样品的制备 | 第20-21页 |
| ·基片与基片清洗 | 第20页 |
| ·薄膜的制备 | 第20-21页 |
| ·样品的表征 | 第21-24页 |
| ·台阶仪 | 第21-22页 |
| ·傅里叶变换红外吸收光谱(FTIR) | 第22页 |
| ·X射线光电子能谱(XPS) | 第22-23页 |
| ·光致发光光谱(PL) | 第23页 |
| ·电致发光光谱(EL) | 第23-24页 |
| 第三章 SiN_x薄膜的制备及其结构分析 | 第24-33页 |
| ·薄膜制备 | 第24页 |
| ·实验结果与分析 | 第24-32页 |
| ·薄膜的FTIR光谱分析 | 第24-27页 |
| ·薄膜的XPS分析 | 第27-30页 |
| ·SiN_x薄膜的制备过程对其结构的影响 | 第30-32页 |
| ·在不同溅射功率下SiN_x薄膜的沉积速率 | 第32页 |
| ·小结 | 第32-33页 |
| 第四章 SiN_x薄膜的光致发光及电致发光特性 | 第33-40页 |
| ·样品制备 | 第33页 |
| ·SiN_x薄膜的光致发光(PL)特性 | 第33-38页 |
| ·SiN_x薄膜的PL光谱 | 第33-34页 |
| ·SiN_x薄膜的光致发光机理研究 | 第34-38页 |
| ·SiN_x薄膜的电致发光(EL)特性 | 第38-39页 |
| ·小结 | 第39-40页 |
| 结论 | 第40-41页 |
| 参考文献 | 第41-43页 |
| 作者简历 | 第43-45页 |
| 学位论文数据集 | 第45页 |
