微盘光谐振腔的制作研究
| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-35页 |
| ·微谐振腔简介 | 第11页 |
| ·微谐振腔中光约束的机理以及谐振腔的基本特性 | 第11-15页 |
| ·光约束机理 | 第11-12页 |
| ·光谐振腔类型及特性 | 第12-15页 |
| ·微谐振腔元件及应用 | 第15-21页 |
| ·与其他元件集成 | 第15-16页 |
| ·WDM系统中的波长选择元件 | 第16-18页 |
| ·生物化学传感器 | 第18页 |
| ·自发发射控制、新型光源以及腔量子电动力学 | 第18-21页 |
| ·谐振腔的材料 | 第21-22页 |
| ·微谐振腔的模拟计算 | 第22-23页 |
| ·微谐振腔在量子计算领域的应用以及进展 | 第23-25页 |
| ·小结 | 第25-26页 |
| 参考文献 | 第26-35页 |
| 第二章 微盘谐振腔的研制 | 第35-89页 |
| ·微盘谐振腔的制作概述 | 第35-40页 |
| ·微谐振腔制造工艺 | 第35-38页 |
| ·微细加工法制作微盘谐振腔 | 第38-39页 |
| ·微细加工法制作微盘谐振腔关键 | 第39-40页 |
| ·实验设备以及材料 | 第40-43页 |
| ·SiO_2/Si基片 | 第40页 |
| ·光刻胶 | 第40-41页 |
| ·离子束刻蚀机 | 第41页 |
| ·XeF_2刻蚀系统 | 第41-42页 |
| ·检测设备 | 第42-43页 |
| ·微盘谐振腔制作工艺过程 | 第43-44页 |
| ·光刻过程中的关键技术 | 第44-50页 |
| ·光刻胶膜层制备以及处理工艺 | 第45-48页 |
| ·曝光、显影工艺 | 第48-50页 |
| ·微盘谐振腔腔体制作的研究 | 第50-65页 |
| ·腔体制作概述 | 第50-52页 |
| ·离子束刻蚀工艺简介 | 第52-56页 |
| ·离子束刻蚀技术 | 第52-53页 |
| ·离子束刻蚀机主要部件 | 第53-54页 |
| ·离子束刻蚀中物理现象 | 第54-56页 |
| ·SiO_2的反应离子束刻蚀 | 第56-65页 |
| ·SiO_2的反应离子束刻蚀特性 | 第58-59页 |
| ·CHF_3/Ar对SiO_2的反应离子束刻蚀 | 第59-61页 |
| ·反应离子束刻蚀制作SiO_2微腔实验 | 第61-63页 |
| ·反应离子束刻蚀SiO_2微腔中一些现象 | 第63-65页 |
| ·小结 | 第65页 |
| ·微盘谐振腔中的硅刻蚀 | 第65-78页 |
| ·概述 | 第65-66页 |
| ·Si的XeF_2刻蚀 | 第66-75页 |
| ·Si的XeF_2刻蚀简介 | 第66-67页 |
| ·XeF_2对硅的刻蚀机理 | 第67页 |
| ·Si的XeF_2刻蚀方法 | 第67-68页 |
| ·XeF_2刻蚀Si的实验 | 第68-70页 |
| ·XeF_2刻蚀硅的结果及讨论 | 第70-75页 |
| ·XeF_2刻蚀硅在制作微盘腔中的应用 | 第75-78页 |
| ·小结 | 第78页 |
| ·微盘谐振腔制作实验结果 | 第78-80页 |
| ·本章小结 | 第80-81页 |
| 参考文献 | 第81-89页 |
| 第三章 微盘谐振腔性能测试 | 第89-95页 |
| 参考文献 | 第94-95页 |
| 第四章 总结与展望 | 第95-97页 |
| 致谢 | 第97-98页 |
| 作者发表论文 | 第98页 |
