| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-30页 |
| ·引言 | 第7-8页 |
| ·硅的物理、化学及其半导体性质 | 第8-10页 |
| ·单晶硅制备技术现状及发展趋势 | 第10-14页 |
| ·直拉法制备单晶硅原理 | 第14-29页 |
| ·论文的主要研究内容及意义 | 第29-30页 |
| 第二章 紊流复合模型数值模拟 | 第30-34页 |
| ·晶体转速与晶棒长度的关系 | 第30-31页 |
| ·建立紊流复合数值模型 | 第31-33页 |
| ·实验方法 | 第33-34页 |
| 第三章 直拉法生长单晶硅 | 第34-47页 |
| ·直拉法单晶硅生长设备 | 第34-37页 |
| ·直拉法生长单晶硅过程 | 第37-41页 |
| ·实验结果及讨论 | 第41-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 第四章 直拉单晶硅的晶体缺陷及杂质 | 第47-60页 |
| ·晶体缺陷 | 第47-52页 |
| ·氧杂质 | 第52-55页 |
| ·碳杂质 | 第55-57页 |
| ·金属杂质 | 第57-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 结论 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-63页 |