中文摘要 | 第1-9页 |
英文摘要 | 第9-11页 |
第一章 绪论 | 第11-34页 |
·表面光电压谱技术 | 第11-22页 |
·半导体材料的光伏效应 | 第11-14页 |
·半导体的光致电子跃迁过程 | 第11-12页 |
·半导体的光伏效应 | 第12-14页 |
·表面光电压谱 | 第14-22页 |
·表面光电压谱的发展过程 | 第14-15页 |
·表面光电压谱仪的构造 | 第15页 |
·体相材料表面光电压的产生机理 | 第15-18页 |
·纳米颗粒表面光电压的产生机理 | 第18-20页 |
·外电场作用下纳米材料的光伏性质原理 | 第20-21页 |
·真空条件下纳米材料的光伏性质原理 | 第21-22页 |
·TiO_2 基一维纳米材料研究现状 | 第22-28页 |
·TiO_2 基纳米管的制备方法 | 第22-26页 |
·TiO_2 基一维纳米材料的物理化学性质研究 | 第26-28页 |
·本论文的研究内容、意义及思路 | 第28-30页 |
参考文献 | 第30-34页 |
第二章 CdSe 量子点修饰钛酸钠纳米管的制备与表征 | 第34-46页 |
·前言 | 第34-35页 |
·实验部分 | 第35-37页 |
·实验试剂 | 第35页 |
·测试仪器 | 第35-36页 |
·实验方法 | 第36-37页 |
·结果与讨论 | 第37-43页 |
·形貌和成分分析 | 第37-38页 |
·XRD 分析 | 第38-39页 |
·RAMAN 分析 | 第39-40页 |
·FTIR 分析 | 第40-41页 |
·CdSe 修饰钛酸钠纳米管的合成示意图 | 第41-43页 |
·结论 | 第43-44页 |
参考文献 | 第44-46页 |
第三章 CdSe 量子点修饰钛酸钠纳米管的光电性能研究 | 第46-59页 |
·前言 | 第46-47页 |
·实验部分 | 第47-48页 |
·样品 | 第47-48页 |
·测试仪器 | 第48页 |
·结果与讨论 | 第48-55页 |
·紫外可见吸收光谱分析 | 第48-49页 |
·表面光电压谱(SPS)分析 | 第49-51页 |
·荧光光谱分析 | 第51-52页 |
·钛酸钠纳米管的场诱导表面光电压谱分析 | 第52-54页 |
·CdSe 修饰后钛酸钠纳米管的场诱导表面光电压谱分析 | 第54-55页 |
·结论 | 第55-57页 |
参考文献 | 第57-59页 |
第四章 退火温度对钛酸钠纳米管表面光电性能的影响 | 第59-68页 |
·前言 | 第59-60页 |
·实验部分 | 第60-61页 |
·实验试剂 | 第60页 |
·测试仪器 | 第60页 |
·样品的制备 | 第60-61页 |
·结果和讨论 | 第61-65页 |
·形貌和结构分析 | 第61-62页 |
·XRD分析 | 第62-63页 |
·RAMAN分析 | 第63-64页 |
·表面光电压谱分析 | 第64-65页 |
·结论 | 第65-67页 |
参考文献 | 第67-68页 |
硕士期间发表和已完成的工作 | 第68-69页 |
致谢 | 第69页 |