| 中文摘要 | 第1-7页 |
| 英文摘要 | 第7-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-19页 |
| ·研究背景和现状 | 第11-15页 |
| ·本文的主要工作 | 第15-17页 |
| 参考文献 | 第17-19页 |
| 第二章 氢化非晶氮化硅薄膜的制备和表征 | 第19-31页 |
| ·a-SiN_x:H 的制备方法 | 第19-21页 |
| ·a-SiN_x:H 的物性表征分析方法 | 第21-30页 |
| 参考文献 | 第30-31页 |
| 第三章 硅太阳能电池的光学常数 | 第31-70页 |
| ·半导体光学常数的提取方法 | 第31-44页 |
| ·直接法 | 第33-36页 |
| ·间接法 | 第36-44页 |
| ·经验公式法提取硅衬底的光学带尾性质 | 第44-55页 |
| ·半导体的间接能带间的跃迁—带间间接跃迁 | 第45-47页 |
| ·能带带尾之间的跃迁—乌尔巴赫带尾效应 | 第47-49页 |
| ·模型的改进 | 第49-52页 |
| ·实验结果及讨论 | 第52-55页 |
| ·介电函数模型法提取a-SiN_x:H 薄膜的光学性质 | 第55-65页 |
| ·反射光谱的理论模型研究 | 第56-59页 |
| ·介电函数模型讨论 | 第59-65页 |
| ·本章小结 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-70页 |
| 第四章 氢化非晶氮化硅薄膜的红外吸收光谱 | 第70-85页 |
| ·原理简介 | 第70-72页 |
| ·a-SiN_x:H 薄膜的红外吸收光谱研究 | 第72-79页 |
| ·进一步讨论 | 第79-81页 |
| ·本章小结 | 第81-83页 |
| 参考文献 | 第83-85页 |
| 第五章 氢化非晶氮化硅薄膜的光致发光光谱 | 第85-94页 |
| ·原理简介 | 第85-88页 |
| ·a-SiN_x:H 薄膜的光致发光光谱研究 | 第88-93页 |
| 参考文献 | 第93-94页 |
| 第六章 总结 | 第94-97页 |
| ·本文的主要结论和创新点 | 第94-95页 |
| ·下一步的工作及展望 | 第95-97页 |
| 致谢 | 第97-98页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文及获得的奖励 | 第98页 |