静电感应晶闸管（SITH）转折机制的数值模拟分析
| 摘要(中文) | 第1-5页 |
| 摘要(英文) | 第5-8页 |
| 第一章 前言 | 第8-10页 |
| 第二章 SITH器件物理 | 第10-22页 |
| ·引言 | 第10页 |
| ·Ⅰ-Ⅴ特性及物理机制 | 第10-11页 |
| ·SITH作用机制 | 第11-14页 |
| ·器件电势分析 | 第14-18页 |
| ·正向阻断增益和正向阻断电压 | 第18-22页 |
| 第三章 器件模拟的数值方法 | 第22-34页 |
| ·引言 | 第22-23页 |
| ·器件模拟分类 | 第23-24页 |
| ·器件模拟的基本方程 | 第24-25页 |
| ·半导体参数模型 | 第25-29页 |
| ·材料的电容率 | 第25页 |
| ·载流子迁移率 | 第25-27页 |
| ·载流子扩散系数 | 第27页 |
| ·载流子产生复合率 | 第27-29页 |
| ·二维器件模拟 | 第29-34页 |
| ·器件模拟方程 | 第29-30页 |
| ·器件边界条件 | 第30-31页 |
| ·器件模拟的数值解法 | 第31-34页 |
| 第四章 SITH的负阻转折特性分析 | 第34-48页 |
| ·引言 | 第34页 |
| ·表面栅SITH负阻转折特性的数值分析 | 第34-46页 |
| ·模拟单元及参数说明 | 第34-35页 |
| ·平衡态下的数值分析 | 第35-36页 |
| ·未发生转折前的物理情况 | 第36页 |
| ·转折点处的数值分析 | 第36-41页 |
| ·导通点处的数值分析 | 第41-45页 |
| ·器件导通前后Ⅰ-Ⅴ特性对比 | 第45-46页 |
| ·Ⅰ-Ⅴ特性的实验—模拟结果对比 | 第46页 |
| ·结论 | 第46-48页 |
| 参考文献 | 第48-50页 |
| 附录 | 第50-60页 |
| 致谢 | 第60页 |
