ZnS-SiO2陶瓷靶材黄点缺陷的研究
| 第1章 绪论 | 第1-26页 |
| ·可擦写相变光盘及其介电层 | 第11-14页 |
| ·相交光存储原理简介 | 第11-13页 |
| ·可擦写相变光盘的结构 | 第13-14页 |
| ·靶材的发展概况 | 第14-15页 |
| ·靶材的种类 | 第15-20页 |
| ·半导体领域应用靶材 | 第15-17页 |
| ·记录介质用靶材 | 第17-20页 |
| ·磁记录介质用靶材 | 第17-18页 |
| ·光记录介质用靶材 | 第18-19页 |
| ·显示器件用ITO靶材 | 第19-20页 |
| ·光盘行业用溅射靶材特性要求 | 第20-21页 |
| ·溅射陶瓷靶材的制备方法 | 第21-23页 |
| ·中国靶材行业的发展展望 | 第23-24页 |
| ·研究的目的和意义 | 第24页 |
| ·研究的主要内容 | 第24-26页 |
| 第2章 试验过程 | 第26-46页 |
| ·高纯硫化锌粉末的制备 | 第26-34页 |
| ·ZnS的物相结构 | 第26页 |
| ·ZnS的性质与应用 | 第26-28页 |
| ·化工 | 第27页 |
| ·陶瓷 | 第27页 |
| ·光电 | 第27-28页 |
| ·红外性能 | 第28页 |
| ·气敏性 | 第28页 |
| ·ZnS的制备方法 | 第28-32页 |
| ·室温一步固相反应 | 第28-29页 |
| ·元素直接反应 | 第29页 |
| ·气／液相沉淀反应 | 第29页 |
| ·液相交换反应 | 第29-32页 |
| ·ZnS粉末的制备 | 第32-34页 |
| ·试验原料 | 第32页 |
| ·实验设计 | 第32-33页 |
| ·实验过程 | 第33-34页 |
| ·对商用硫化锌粉末的提纯 | 第34-36页 |
| ·杂质分析 | 第34-35页 |
| ·单质硫的检测 | 第34页 |
| ·其他杂质的测定 | 第34-35页 |
| ·商用硫化锌粉的预处理 | 第35-36页 |
| ·高温烘烤 | 第35-36页 |
| ·酸洗+高温烘烤 | 第36页 |
| ·ZnS粉末的性能测试方法 | 第36-38页 |
| ·光学显微观察 | 第36页 |
| ·X-射线衍射分析 | 第36-37页 |
| ·热分析 | 第37-38页 |
| ·热重分析(TG) | 第37页 |
| ·差示扫描量热法(DSC) | 第37-38页 |
| ·ZnS-SiO_2靶材的热等静压烧结 | 第38-44页 |
| ·ZnS-SiO_2靶材的HIP烧结过程 | 第38-41页 |
| ·混料 | 第38页 |
| ·冷等静压成型及脱气 | 第38-40页 |
| ·热等静压烧结 | 第40-41页 |
| ·HIP烧结体的性能测试方法 | 第41-44页 |
| ·体积密度和相对密度的测定 | 第41-43页 |
| ·光学显微组织观察 | 第43页 |
| ·显微硬度和断裂韧性的测量 | 第43-44页 |
| ·扫描电镜(SEM)及EDS分析 | 第44页 |
| ·掺杂质的烧结试验 | 第44-46页 |
| 第3章 试验结果 | 第46-63页 |
| ·ZnS粉末的光学显微形貌 | 第46-47页 |
| ·粉末的相组成分析与讨论 | 第47-49页 |
| ·ZnS粉末热分析结果与讨论 | 第49-51页 |
| ·商用ZnS粉末中不溶于盐酸物质的EDS分析 | 第51-52页 |
| ·两种处理方法降低商用粉杂质含量的效果 | 第52-53页 |
| ·靶材黄点区域的宏观形态及金相显微观察 | 第53-54页 |
| ·靶材某一黄点区域扫描电镜及EDS分析 | 第54-57页 |
| ·自制与市售ZnS粉HIP烧结后结果对比 | 第57-60页 |
| ·黄点缺陷检验 | 第57页 |
| ·显微形貌观察 | 第57-58页 |
| ·靶材体积密度的测定 | 第58-59页 |
| ·靶材的显微硬度和断裂韧性的测量 | 第59-60页 |
| ·掺杂质烧结结果 | 第60-61页 |
| ·实际生产结果 | 第61-63页 |
| 结论 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-71页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及科研成果 | 第71页 |
