| 第一章 前言 | 第1-11页 |
| 第二章 文献综述 | 第11-32页 |
| ·ZnO的基本性质 | 第11-13页 |
| ·ZnO的性能与应用前景 | 第13-16页 |
| ·ZnO电学性能的研究 | 第13页 |
| ·ZnO光学性能的研究 | 第13-15页 |
| ·ZnO材料的其他应用 | 第15-16页 |
| ·ZnO薄膜中的缺陷与掺杂 | 第16-25页 |
| ·ZnO中的本征缺陷 | 第16-17页 |
| ·ZnO中的非故意掺杂杂质 | 第17-19页 |
| ·ZnO的n型掺杂 | 第19页 |
| ·ZnO的p型掺杂 | 第19-25页 |
| ·ZnO基p-n结的研究现状 | 第25-30页 |
| ·同质p-n结 | 第25-28页 |
| ·异质p-n结 | 第28-30页 |
| ·本文的研究内容 | 第30-32页 |
| 第三章 直流反应磁控溅射实验原理 | 第32-40页 |
| ·溅射镀膜技术 | 第32-34页 |
| ·直流反应磁控溅射技术原理 | 第34-36页 |
| ·ZnO薄膜的制备 | 第36-39页 |
| ·反应原理 | 第36-37页 |
| ·衬底清洗 | 第37页 |
| ·薄膜的制备过程 | 第37-38页 |
| ·薄膜的类型 | 第38-39页 |
| ·性能表征 | 第39-40页 |
| 第四章 以NH_3为掺杂源的Al-N共掺杂法制备p-ZnO薄膜：工艺优化及性能研究 | 第40-58页 |
| ·施主-受主共掺杂理论 | 第40-43页 |
| ·以NH_3为掺杂源的依据 | 第43-45页 |
| ·Al含量对(Al，N，H)共掺杂p-ZnO薄膜的影响 | 第45-47页 |
| ·Al含量对ZnO：(Al，N，H)薄膜电学性能的影响 | 第45-47页 |
| ·Al含量对ZnO：(Al，N，H)薄膜结构性能的影响 | 第47页 |
| ·高温缓冲层对ZnO：(Al，N，H)共掺杂薄膜的p型导电的影响及机理探讨 | 第47-52页 |
| ·高温缓冲层的设计及实验方法 | 第47-48页 |
| ·高温缓冲层对ZnO：(Al，N，H)薄膜的影响之电学性能 | 第48-50页 |
| ·高温缓冲层对ZnO：(Al，N，H)薄膜的影响之结构性能 | 第50-52页 |
| ·高温缓冲层对ZnO：(Al，N，H)薄膜的影响之光学性能 | 第52页 |
| ·退火实现ZnO：(Al，N，H)薄膜的p型转变及机理探讨 | 第52-56页 |
| ·退火实验过程 | 第52-53页 |
| ·不同气氛下退火对ZnO：(Al，N，H)薄膜的结构性能的影响 | 第53-54页 |
| ·不同气氛下退火对ZnO：(Al，N，H)薄膜的电学性能的影响 | 第54-56页 |
| ·退火前后ZnO：(Al，N，H)薄膜的光学性能变化 | 第56页 |
| ·本章小结 | 第56-58页 |
| 第五章 ZnO基异质结制备及其性能表征 | 第58-67页 |
| ·p-ZnO／n-ZnO_(0.8)CdO_(0.2)／n-ZnO异质结的设计思路 | 第58-59页 |
| ·异质结p-ZnO／n-ZnO_(0.8)CdO_(0.2)／n-ZnO的制备 | 第59-60页 |
| ·异质结p-ZnO／n-ZnO_(0.8)CdO_(0.2)／n-ZnO的性能研究 | 第60-66页 |
| ·电学性能 | 第60-62页 |
| ·异质结的成分分析 | 第62-63页 |
| ·结构表征 | 第63-65页 |
| ·光学性能 | 第65-66页 |
| ·本章小结 | 第66-67页 |
| 第六章 总结 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-76页 |
| 硕士期间发表的文章 | 第76-77页 |
| 致谢 | 第77页 |
