| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-12页 |
| 1 绪论 | 第12-30页 |
| ·引言 | 第12页 |
| ·铁电材料及铁电薄膜概况 | 第12-21页 |
| ·铁电存储器的研究发展慨况 | 第21-27页 |
| ·本文选题的依据及研究的主要内容 | 第27-30页 |
| 2 铁电陶瓷靶的烧结及其性能的研究 | 第30-44页 |
| ·引言 | 第30页 |
| ·PZT 铁电陶瓷的烧结 | 第30-33页 |
| ·钛酸铋基陶瓷靶材的烧结 | 第33-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 3 脉冲激光淀积工艺及多层结构铁电薄膜的制备 | 第44-57页 |
| ·引言 | 第44-45页 |
| ·多层铁电薄膜结构的设计思想 | 第45-47页 |
| ·多层结构铁电薄膜的制备 | 第47-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 4 BI_(4-X)ND_XT1_3O_(12)铁电薄膜电容的制备及特性的研究 | 第57-66页 |
| ·引言 | 第57-58页 |
| ·BNT 薄膜的淀积工艺及参数 | 第58-59页 |
| ·掺钕量对BNT 铁电薄膜的微结构及铁电性能的影响 | 第59-61页 |
| ·退火温度对BI_(3.20)ND_(0.80)TI_30_(12) 薄膜微结构的影响 | 第61-62页 |
| ·BI_(13).20ND_(0.80)TI_3O(12) 薄膜微结构及性能的研究 | 第62-65页 |
| ·本章小结 | 第65-66页 |
| 5 铁电薄膜I-V 特性的研究及界面电位降的计算 | 第66-86页 |
| ·引言 | 第66页 |
| ·极薄铁电薄膜I-V 特性的研究 | 第66-74页 |
| ·多层结构铁电薄膜界面电位降与界面能带结构的分析 | 第74-75页 |
| ·修正的经验幂定律的建立及界面电位降的计算 | 第75-79页 |
| ·利用C-V 特性曲线计算界面的外电压降 | 第79-84页 |
| ·本章小结 | 第84-86页 |
| 6 铁电薄膜异质结构的不对称行为及内建电压的研究 | 第86-93页 |
| ·引言 | 第86页 |
| ·内建电压的定量分析 | 第86-90页 |
| ·内建电压与I-V 特性曲线的不对称的整流特性的研究 | 第90-91页 |
| ·本章小结 | 第91-93页 |
| 7 非破坏读出的AU/BIT/PZT/BIT/P-SI(100)存储二极管的内在条件及存储器操作方法 | 第93-103页 |
| ·引言 | 第93页 |
| ·有I-V 回线的AU/BIT/PZT/BIT/P-SI(100)存储二极管 | 第93-97页 |
| ·I-V 特性曲线的转变电压与P-E 回线的矫顽场的关系 | 第97-98页 |
| ·存储器波形 | 第98-102页 |
| ·本章小结 | 第102-103页 |
| 总结 | 第103-106页 |
| 致谢 | 第106-107页 |
| 参考文献 | 第107-123页 |
| 附录 作者在攻读博士学位期间发表的论文 | 第123页 |
