应力对IGZO材料电学性能影响的第一性原理研究
| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第10-21页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 透明氧化物半导体 | 第11-13页 |
| 1.3 IGZO材料简介 | 第13-17页 |
| 1.4 计算材料学的应用 | 第17-19页 |
| 1.5 本文研究目的及主要内容 | 第19-21页 |
| 2 计算理论与方法 | 第21-31页 |
| 2.1 Hartreer-Fock(HF)近似 | 第21-24页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第24-29页 |
| 2.3 一些改进算法 | 第29-30页 |
| 2.4 本文的计算软件简介 | 第30-31页 |
| 3 IGZO计算算法与模型探究 | 第31-48页 |
| 3.1 计算算法探究 | 第31-36页 |
| 3.2 InGaZnO_4的计算模型 | 第36-42页 |
| 3.3 氧缺陷结构探究 | 第42-47页 |
| 3.4 本章总结 | 第47-48页 |
| 4 应力对晶体InGaZnO_4电学性能的影响 | 第48-76页 |
| 4.1 载流子迁移率和浓度计算方法 | 第48-53页 |
| 4.2 应力对无缺陷结构的影响 | 第53-62页 |
| 4.3 应力对中性氧空位缺陷结构的影响 | 第62-71页 |
| 4.4 应力对带电氧空位缺陷结构的影响 | 第71-73页 |
| 4.5 本章总结 | 第73-76页 |
| 5 非晶InGaZnO_4的研究 | 第76-91页 |
| 5.1 分子动力学构建非晶结构 | 第76-80页 |
| 5.2 应力作用的影响 | 第80-87页 |
| 5.3 非晶氧空位缺陷研究 | 第87-89页 |
| 5.4 本章总结 | 第89-91页 |
| 6 总结与展望 | 第91-94页 |
| 致谢 | 第94-95页 |
| 参考文献 | 第95-107页 |
| 附录1 攻读学位期间发表论文目录 | 第107页 |
