| 第一章 GaN基半导体材料综述 | 第1-19页 |
| ·绪论 | 第8页 |
| ·第三代半导体材料GaN性质 | 第8-11页 |
| ·晶体结构与物理特性 | 第9-10页 |
| ·GaN的化学特性 | 第10页 |
| ·GaN的电学特性 | 第10-11页 |
| ·GaN的光学特性 | 第11页 |
| ·GaN半导体材料发展的几点技术突破 | 第11-14页 |
| ·外延生长技术进展 | 第11-13页 |
| ·金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术 | 第12页 |
| ·分子束外延(MBE)技术 | 第12-13页 |
| ·卤化物气相外延(HVPE)技术 | 第13页 |
| ·衬底的选取及缓冲层的生长进展 | 第13-14页 |
| ·P型掺杂技术 | 第14页 |
| ·GaN材料的应用 | 第14-17页 |
| ·GaN基新型电子器件 | 第14页 |
| ·GaN基光电器件 | 第14-16页 |
| ·GaN基材料发光二极管(LED) | 第15-16页 |
| ·GaN基材料激光器(LD) | 第16页 |
| ·高性能的紫外光光电探测器 | 第16页 |
| ·固态冷阴极器件 | 第16-17页 |
| ·GaN的应用前景 | 第17页 |
| ·本论文的选题和工作重点 | 第17-19页 |
| 第二章 薄膜生长理论基础 | 第19-29页 |
| ·引言 | 第19页 |
| ·原子团的形成 | 第19-21页 |
| ·初始阶段 | 第19-20页 |
| ·小原子团的变化速率 | 第20-21页 |
| ·临界核定义 | 第21页 |
| ·成核理论基础 | 第21-26页 |
| ·微滴理论 | 第21-23页 |
| ·原子理论 | 第23-26页 |
| ·薄膜的生长模式 | 第26-28页 |
| ·核生长模式 | 第26-27页 |
| ·层状生长模式 | 第27页 |
| ·层核生长模式 | 第27-28页 |
| ·小结 | 第28-29页 |
| 第三章 GaN ECR-PEMOCVD生长系统 | 第29-36页 |
| ·引言 | 第29页 |
| ·ECR-PEMOCVD装置介 | 第29-35页 |
| ·超高真空系统 | 第31-32页 |
| ·程控微波耦合系统 | 第32页 |
| ·温控系统 | 第32-33页 |
| ·实时监测系统 | 第33页 |
| ·配气系统 | 第33-34页 |
| ·微机控制系统 | 第34-35页 |
| ·小结 | 第35-36页 |
| 第四章 反射高能电子衍射仪 | 第36-46页 |
| ·引言 | 第36页 |
| ·几种常用的表面分析术 | 第36-39页 |
| ·原子力显微术(AFM) | 第36-37页 |
| ·低能电子衍射(LEED) | 第37-38页 |
| ·X射线衍射 | 第38-39页 |
| ·高能电子衍射仪 | 第39-44页 |
| ·简述 | 第39-41页 |
| ·工作原理 | 第41-44页 |
| ·小结 | 第44-46页 |
| 第五章 GaN外延生长工艺与实验结果讨论 | 第46-67页 |
| ·引言 | 第46页 |
| ·装置ESPD-U校温实验 | 第46-48页 |
| ·六方GaN薄膜生长工艺条件研究 | 第48-57页 |
| ·衬底的清洗 | 第50-53页 |
| ·衬底常规化学清洗 | 第50-51页 |
| ·衬底等离子体清洗 | 第51-53页 |
| ·衬底的氮化 | 第53-55页 |
| ·缓冲层的生长 | 第55-56页 |
| ·外延层的生长 | 第56-57页 |
| ·优化GaN薄膜生长工艺条件中创新及对其分析讨论 | 第57-64页 |
| ·多步清洗对后续氮化的影响 | 第57-59页 |
| ·ECR-PEMOCVD生长GaN／Al_2O_3薄膜PL谱试验 | 第59-61页 |
| ·建立校温数据及薄膜生长工艺参数数据库并对其可视化编程 | 第61-64页 |
| ·建立数据库 | 第61-62页 |
| ·校温数据及薄膜生长工艺参数可视化编程 | 第62-64页 |
| ·小结 | 第64-67页 |
| 参考文献 | 第67-69页 |
| 攻读硕士学位期间发表论文情况 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70-72页 |