| 中文摘要 | 第1-4页 |
| 英文摘要 | 第4-6页 |
| 第一章 绪论 | 第6-16页 |
| ·低K介电材料的研究背景 | 第6-8页 |
| ·a-C:F薄膜研究现状 | 第8-13页 |
| ·本研究小组有关a-C:F薄膜的研究 | 第13-15页 |
| ·本文研究的主要内容 | 第15-16页 |
| 第二章 a-C:F薄膜的制备方法及工艺参数 | 第16-21页 |
| ·微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECRCVD)薄膜的原理简介 | 第16-18页 |
| ·a-C:F薄膜的制备方法 | 第18-21页 |
| 第三章 a-C:F薄膜结构及物性随沉积温度的变化 | 第21-48页 |
| ·沉积温度对薄膜沉积速率和热稳定性的影响 | 第21-23页 |
| ·键结构随沉积温度的变化关系 | 第23-30页 |
| ·薄膜的XPS分析 | 第30-36页 |
| ·薄膜的光学带隙和C=C相对含量随沉积温度的变化 | 第36-41页 |
| ·沉积温度对a-C:F薄膜电学性能的影响 | 第41-44页 |
| ·不同温度下快退火对薄膜结构和介电频谱与损耗的影响 | 第44-48页 |
| 第四章 结论 | 第48-50页 |
| 参考文献 | 第50-54页 |
| 附录: 攻读硕士学位期间公开发表的论文 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55页 |